Renesasメーカー3SK318の使用説明書/サービス説明書
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Rev.2.00 Aug 10, 2005 page 1 of 7 3SK318 Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET UHF RF Amplifier REJ03G0819-0200 (Previous ADE-208-6 00) Rev.2.00 Aug.10.2005 Features • Low noise characteristics; (NF= 1.4 dB typ. at f= 900 MHz) • Excellent cross m odulation c haracteristics • Capable low v oltage operati on; +B= 5V Outline 1.
3SK318 Rev.2.00 Aug 10, 2005 page 2 of 7 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 ° C) Item Symbol Ratings Unit Drain to source voltage V DS 6 V Gate1 to source voltage V G1S ±6 V Gate2 to source voltage V.
3SK318 Rev.2.00 Aug 10, 2005 page 3 of 7 200 150 100 50 0 50 100 150 200 Channel Power Dissipation Pch (mW) Ambient Temperature Ta ( ° C) Maximum Channel Power Dissipation Curve 0 24 6 8 10 V G2S = 3 V Drain to Source Voltage V DS (V) Drain Current I D (mA) Typical Output Characteristics 4 8 12 16 20 0.
3SK318 Rev.2.00 Aug 10, 2005 page 4 of 7 5 4 3 2 1 0 51 0 1 5 2 0 25 25 20 15 10 5 0 24 6 8 1 0 Drain Current I D (mA) Noise Figure NF (dB) Noise Figure vs. Drain Current Power Gain vs. Drain to Source Voltage Power Gain PG (dB) Drain to Source Voltage V DS (V) V DS = 3.
3SK318 Rev.2.00 Aug 10, 2005 page 5 of 7 V DS = 3.5 V , V G2S = 3 V I D = 10mA V DS = 3.5 V , V G2S = 3 V I D = 10mA V DS = 3.5 V , V G2S = 3 V I D = 10mA V DS = 3.5 V , V G2S = 3 V I D = 10mA 10 5 4 3 2 1.5 1 .8 –2 –3 –4 –5 –10 .6 .4 .2 0 –.
3SK318 Rev.2.00 Aug 10, 2005 page 6 of 7 S Parameter (V DS = 3.5V, V G2S = 3V, I D = 10mA, Zo = 50 Ω ) S11 S21 S12 S22 Freq. (MHz) MAG. ANG. MA G. ANG. MAG. ANG. MAG. A NG. 50 1.000 –2.8 2.41 176.3 0.00068 89.1 0.999 –2.2 100 0.998 –5.8 2.41 171.
3SK318 Rev.2.00 Aug 10, 2005 page 7 of 7 Package Dimensions A S M x S y e e 2 b 1 A EH E L L 1 Q c D B B b AA b 1 b 3 c 1 c B-B Section Pattern of terminal position areas b 4 l 1 b 5 l 1 e 1 e 2 e A 3 L P S A A 2 A 1 A A 1 A 2 b b 1 c c 1 D E e H E L L P x y b 4 e 1 l 1 Q 0.
Keep safety first in your circuit designs! 1. Renesas Technology Corp. puts the maximum effort into making semiconductor products better and more reliable, but there is always the possibility that trouble may occur with them. Trouble with semiconductors may lead to personal injury, fire or property damage.
デバイスRenesas 3SK318の購入後に(又は購入する前であっても)重要なポイントは、説明書をよく読むことです。その単純な理由はいくつかあります:
Renesas 3SK318をまだ購入していないなら、この製品の基本情報を理解する良い機会です。まずは上にある説明書の最初のページをご覧ください。そこにはRenesas 3SK318の技術情報の概要が記載されているはずです。デバイスがあなたのニーズを満たすかどうかは、ここで確認しましょう。Renesas 3SK318の取扱説明書の次のページをよく読むことにより、製品の全機能やその取り扱いに関する情報を知ることができます。Renesas 3SK318で得られた情報は、きっとあなたの購入の決断を手助けしてくれることでしょう。
Renesas 3SK318を既にお持ちだが、まだ読んでいない場合は、上記の理由によりそれを行うべきです。そうすることにより機能を適切に使用しているか、又はRenesas 3SK318の不適切な取り扱いによりその寿命を短くする危険を犯していないかどうかを知ることができます。
ですが、ユーザガイドが果たす重要な役割の一つは、Renesas 3SK318に関する問題の解決を支援することです。そこにはほとんどの場合、トラブルシューティング、すなわちRenesas 3SK318デバイスで最もよく起こりうる故障・不良とそれらの対処法についてのアドバイスを見つけることができるはずです。たとえ問題を解決できなかった場合でも、説明書にはカスタマー・サービスセンター又は最寄りのサービスセンターへの問い合わせ先等、次の対処法についての指示があるはずです。