FairchildメーカーBSS84の使用説明書/サービス説明書
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July 2002 2002 Fairc hi ld Sem iconduct or Cor por at ion BSS84 Rev B(W ) BSS84 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Descriptio n These P-Channel enhanc em ent m ode field eff ec t transis tors are produced us ing Fairchild’ s proprietary, high cell dens ity, DMOS t ec hnology.
BSS84 Rev B(W ) Electrical Charact eristics T A = 25°C unless otherw ise noted Symbol P arameter Test Conditions Min Typ Max Units Off Charact eristics BV DSS Drain–Sourc e B reakdown Voltage V GS .
BSS84 Rev B(W ) Ty pical Characteristics 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 012345 -V DS , DR AIN TO SOU RCE VOL T AGE (V) -I D , DRAIN CURRENT (A) V GS = -5V -4.5V -3.5V -3.0V -2.5V 0.8 1 1.2 1.4 1.6 1.8 2 0 0. 2 0. 4 0.6 0.8 1 -I D , DRAIN CURRE NT (A) R DS(ON) , NORMALIZED DRAIN-SOURCE O N-RESISTANCE V GS =-3.
BSS84 Rev B(W ) Ty pical Characteristics 0 1 2 3 4 5 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 Q g , GATE CHA RGE (nC) -V GS , GATE-S OURCE VOLTAGE (V) I D = -0.10A V DS = -8V -25V -30V 0 20 40 60 80 100 0 1 02 03 04 05 0 -V DS , DRAIN TO SOURCE V OLTAGE (V) CAPACITANCE (pF) C ISS C OSS C RSS f = 1 MHz V GS = 0 V Figure 7.
DISCLAIMER FAIRCHILD SEMICONDUCTOR RESERVES THE RIGHT TO MAKE CHANGES WITHOUT FURTHER NOTICE TO ANY PRODUCTS HEREIN TO IMPROVE RELIABILITY , FUNCTION OR DESIGN.
デバイスFairchild BSS84の購入後に(又は購入する前であっても)重要なポイントは、説明書をよく読むことです。その単純な理由はいくつかあります:
Fairchild BSS84をまだ購入していないなら、この製品の基本情報を理解する良い機会です。まずは上にある説明書の最初のページをご覧ください。そこにはFairchild BSS84の技術情報の概要が記載されているはずです。デバイスがあなたのニーズを満たすかどうかは、ここで確認しましょう。Fairchild BSS84の取扱説明書の次のページをよく読むことにより、製品の全機能やその取り扱いに関する情報を知ることができます。Fairchild BSS84で得られた情報は、きっとあなたの購入の決断を手助けしてくれることでしょう。
Fairchild BSS84を既にお持ちだが、まだ読んでいない場合は、上記の理由によりそれを行うべきです。そうすることにより機能を適切に使用しているか、又はFairchild BSS84の不適切な取り扱いによりその寿命を短くする危険を犯していないかどうかを知ることができます。
ですが、ユーザガイドが果たす重要な役割の一つは、Fairchild BSS84に関する問題の解決を支援することです。そこにはほとんどの場合、トラブルシューティング、すなわちFairchild BSS84デバイスで最もよく起こりうる故障・不良とそれらの対処法についてのアドバイスを見つけることができるはずです。たとえ問題を解決できなかった場合でも、説明書にはカスタマー・サービスセンター又は最寄りのサービスセンターへの問い合わせ先等、次の対処法についての指示があるはずです。