CypressメーカーCY14E256Lの使用説明書/サービス説明書
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CY14E256L 256 Kbit (32K x 8) nvSRAM Cypress Semiconducto r Corporation • 198 Champion Court • San Jose , CA 95134-1709 • 408-943-2600 Document Number: 001-06968 Rev .
CY14E256L Document Number: 001-06968 Rev . *F Page 2 of 18 Pin Configurations Figure 1. Pin Diagram: 32-Pin SOIC/DIP Pin Definitions Pin Name Alt IO T ype Description A 0 –A 14 Input Address Input s. Used to select one of the 32,768 bytes of the nvSRAM.
CY14E256L Document Number: 001-06968 Rev . *F Page 3 of 18 Device Operation The CY14E256L nvSRAM is made up of two functional compo - nents paired in the same physical cell. These ar e an SRAM memory cell and a nonvolatile QuantumTrap cell. The SRAM memory cell operates as a standard fast static RAM.
CY14E256L Document Number: 001-06968 Rev . *F Page 4 of 18 Hardware STORE (HSB ) Operation The CY14E256L p rovides the HSB pi n for controlling and acknowledging the STORE operations. The HSB pin is used to request a hardware ST OR E cycle. When the HSB pin is driven LOW , the CY14E256L conditionally initiates a STORE operation after t DELA Y .
CY14E256L Document Number: 001-06968 Rev . *F Page 5 of 18 Dat a Protection The CY14E256L pro tects data from corruption during low voltag e conditions by in hibiting all ex ternally initiated STORE and WRITE operations. The l ow voltage condition is detected when V CC is less than V SWITCH .
CY14E256L Document Number: 001-06968 Rev . *F Page 6 of 18 Best Practices nvSRAM products have been used effectively for over 15 years. While ease of use is one of t he product’s main system values,.
CY14E256L Document Number: 001-06968 Rev . *F Page 7 of 18 Maximum Ratin gs Exceeding maximum ratings may shorten the useful life of the device. These user g uidelines are not tested. S torage T emperature ............. ... .. ... ............ –65 ° C to +150 ° C Ambient T emperature with Power Applied .
CY14E256L Document Number: 001-06968 Rev . *F Page 8 of 18 V OL Output LOW Volt age I OUT = 8 mA 0.4 V V BL Logic ‘0’ V oltage on HSB Output I OUT = 3 mA 0.
CY14E256L Document Number: 001-06968 Rev . *F Page 9 of 18 AC Switching Characteristics SRAM Read Cycle Parameter Description 25 ns 35 ns 45 n s Unit Min Max Min Max Min Max Cypress Parameter Alt t AC.
CY14E256L Document Number: 001-06968 Rev . *F Page 10 of 18 SRAM Writ e Cycle Parameter Descriptio n 25 ns 35 ns 45 ns Unit Min Max Min Max Min Max Cypress Parameter Alt t WC t AVAV Write Cycle T ime .
CY14E256L Document Number: 001-06968 Rev . *F Page 1 1 of 18 AutoS tore or Power Up RECALL Parameter Alt Description CY14E256L Unit Min Max t HRECALL [15] t RESTORE Power up RECALL Duration 550 μ s t.
CY14E256L Document Number: 001-06968 Rev . *F Page 12 of 18 Sof tware Controlled STORE/RECALL Cycle The software controlled ST ORE/RECALL cycle follows.
CY14E256L Document Number: 001-06968 Rev . *F Page 13 of 18 Hardware STORE Cycle Parameter Alt Description CY14E256L Unit Min Max t DHSB [16, 20] t RECOVER, t HHQX Hardware STORE High to Inhibit Off 700 ns t PHSB t HLHX Hardware STORE Pulse Width 15 ns t HLBL Hardware STORE Low to ST ORE Bus y 300 ns Switching W aveforms Figure 13.
CY14E256L Document Number: 001-06968 Rev . *F Page 14 of 18 Ordering Information Spe e d (ns) Ordering Code Package Diagram Package T ype Operating Range 25 CY14E256L-SZ25XCT 51-85127 32-pin SOIC (300.
CY14E256L Document Number: 001-06968 Rev . *F Page 15 of 18 Package Diagram Figure 14. 32-Pin (300 Mil) SOIC (51-85127) 51-85058 *A PIN 1 ID SEATING PLANE 1 16 17 32 DIMENSIONS IN INCHES[MM] MIN. MAX. 0.292[7.416] 0.299[7.594] 0.405[10.287] 0.419[10.642] 0.
CY14E256L Document Number: 001-06968 Rev . *F Page 16 of 18 Figure 15. 32-Pin (300 Mil) CDIP (001-5169 4) Package Diagram (continued) 001-51694 ** [+] Feedback.
CY14E256L Document Number: 001-06968 Rev . *F Page 17 of 18 Document History Page Document Title: CY14E256L 256 Kbit (32K x 8) nvSRAM Document Number: 00 1-069 68 Rev .
Document Number: 001-06968 Rev . *F Revised January 30, 20 09 Pag e 18 of 18 AutoS tore and Qua ntumTr ap are registered tr ademarks of Cypress Se miconductor Corpor ation. All produ cts and comp any names mentio ned in this docum ent may be the trade marks of t heir respe ctive holders.
デバイスCypress CY14E256Lの購入後に（又は購入する前であっても）重要なポイントは、説明書をよく読むことです。その単純な理由はいくつかあります：
Cypress CY14E256Lをまだ購入していないなら、この製品の基本情報を理解する良い機会です。まずは上にある説明書の最初のページをご覧ください。そこにはCypress CY14E256Lの技術情報の概要が記載されているはずです。デバイスがあなたのニーズを満たすかどうかは、ここで確認しましょう。Cypress CY14E256Lの取扱説明書の次のページをよく読むことにより、製品の全機能やその取り扱いに関する情報を知ることができます。Cypress CY14E256Lで得られた情報は、きっとあなたの購入の決断を手助けしてくれることでしょう。
Cypress CY14E256Lを既にお持ちだが、まだ読んでいない場合は、上記の理由によりそれを行うべきです。そうすることにより機能を適切に使用しているか、又はCypress CY14E256Lの不適切な取り扱いによりその寿命を短くする危険を犯していないかどうかを知ることができます。
ですが、ユーザガイドが果たす重要な役割の一つは、Cypress CY14E256Lに関する問題の解決を支援することです。そこにはほとんどの場合、トラブルシューティング、すなわちCypress CY14E256Lデバイスで最もよく起こりうる故障・不良とそれらの対処法についてのアドバイスを見つけることができるはずです。たとえ問題を解決できなかった場合でも、説明書にはカスタマー・サービスセンター又は最寄りのサービスセンターへの問い合わせ先等、次の対処法についての指示があるはずです。
