CypressメーカーCY62126EV30の使用説明書/サービス説明書
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MoBL ® ,CY62126EV30 1-Mbit (64K x 16) S t atic RAM Cypress Semiconductor Corpora tion • 198 Champion Court • San Jose , CA 95134-1709 • 408-943-2600 Document #: 38-05486 Rev .
MoBL ® , CY62126EV30 Document #: 38-05486 Rev . *E Page 2 of 13 Pin Configurations Figure 1. 44-Ball VFBGA (T op View) Figure 2. 44-Pin TSOP II (T op View) [2] T able 1. Product Por t folio Notes 2. NC pins are not connected on the die. 3. T ypical values are included for reference only and are not guaranteed or test ed.
MoBL ® , CY62126EV30 Document #: 38-05486 Rev . *E Page 3 of 13 Maximum Ratin gs Exceeding maximum ratings may s horten the batter y life of the device. These user guid elines are not tested. S torage T emperature ................ .............. ... –65°C to +150°C Ambient T e mperature with Power Applied .
MoBL ® , CY62126EV30 Document #: 38-05486 Rev . *E Page 4 of 13 Thermal Resist ance T ested initially and after an y design or proces s changes that may affect these p arameters. Parameter Description T est Co nditions VFBGA Package TSOP II Package Unit Θ JA Thermal Resistance (Junction to Ambient) S till Air , soldered on a 4.
MoBL ® , CY62126EV30 Document #: 38-05486 Rev . *E Page 5 of 13 Switching Characteristics Over the Operatin g Range [10, 1 1] Parameter Description 45 ns (Industrial) 55 ns (Automoti ve) Unit Min Max.
MoBL ® , CY62126EV30 Document #: 38-05486 Rev . *E Page 6 of 13 Switching W aveforms Figure 5. Read Cycle No. 1 (Address transition co ntrolled) [15, 16] Figure 6.
MoBL ® , CY62126EV30 Document #: 38-05486 Rev . *E Page 7 of 13 Figure 7. Write Cycle No. 1 (WE controlled) [14, 18, 19] Figure 8. Write Cycle No. 2 (CE controlled) [14, 18, 19] Switching W aveforms .
MoBL ® , CY62126EV30 Document #: 38-05486 Rev . *E Page 8 of 13 Figure 9. Write Cycle No. 3 (WE controlled, OE LOW [19] Figure 10. Write Cycle No. 4 (BHE/BLE controlled, OE LOW) [19] Switching W avef.
MoBL ® , CY62126EV30 Document #: 38-05486 Rev . *E Page 9 of 13 T ruth T able CE WE OE BHE BLE Input s/Outputs Mode Power H X X X X High Z Deselect/Power Down S tandby (I SB ) L X X H H High Z Output.
MoBL ® , CY62126EV30 Document #: 38-05486 Rev . *E Page 10 of 13 Package Diagrams Figure 1 1. 48-Ball VFBGA (6 x 8 x 1 mm) (51-85150) A 1 A1 CORNER 0.75 0.75 Ø0.30±0.05(48X) Ø0.25 M C A B Ø0.05 M C B A 0.15(4X) 0.21±0.05 1.00 MAX C SEATING PLANE 0.
MoBL ® , CY62126EV30 Document #: 38-05486 Rev . *E Page 1 1 of 13 Figure 12. 44-Pin TSOP II (51-85087) Package Diagrams (continued) 51-85087-*A [+] Feedback.
MoBL ® , CY62126EV30 Document #: 38-05486 Rev . *E Page 12 of 13 Document History Page Document Title: MoBL ® CY62126EV30, 1-Mbit (64K x 16) Static RAM Document Number: 38-05486 Rev .
Document #: 38-05486 Rev . *E Revised January 5, 2009 Page 13 of 13 MoBL is a regi stered tradema rk, and More Batt ery Life is a trad emark, of Cypre ss Semiconductor . All products and comp any names menti oned in this document may be the trademarks o f their respec tive holders.
デバイスCypress CY62126EV30の購入後に（又は購入する前であっても）重要なポイントは、説明書をよく読むことです。その単純な理由はいくつかあります：
Cypress CY62126EV30をまだ購入していないなら、この製品の基本情報を理解する良い機会です。まずは上にある説明書の最初のページをご覧ください。そこにはCypress CY62126EV30の技術情報の概要が記載されているはずです。デバイスがあなたのニーズを満たすかどうかは、ここで確認しましょう。Cypress CY62126EV30の取扱説明書の次のページをよく読むことにより、製品の全機能やその取り扱いに関する情報を知ることができます。Cypress CY62126EV30で得られた情報は、きっとあなたの購入の決断を手助けしてくれることでしょう。
Cypress CY62126EV30を既にお持ちだが、まだ読んでいない場合は、上記の理由によりそれを行うべきです。そうすることにより機能を適切に使用しているか、又はCypress CY62126EV30の不適切な取り扱いによりその寿命を短くする危険を犯していないかどうかを知ることができます。
ですが、ユーザガイドが果たす重要な役割の一つは、Cypress CY62126EV30に関する問題の解決を支援することです。そこにはほとんどの場合、トラブルシューティング、すなわちCypress CY62126EV30デバイスで最もよく起こりうる故障・不良とそれらの対処法についてのアドバイスを見つけることができるはずです。たとえ問題を解決できなかった場合でも、説明書にはカスタマー・サービスセンター又は最寄りのサービスセンターへの問い合わせ先等、次の対処法についての指示があるはずです。
