CypressメーカーCY62136EV30の使用説明書/サービス説明書
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2-Mbit (128K x 16) S t atic RAM CY62136EV30 MoBL ® Cypress Semiconductor Corpora tion • 198 Champion Court • San Jose , CA 95134-1 709 • 408-9 43-2600 Document #: 38-05569 Rev . *B Revised January 6, 2006 Features • V ery high speed: 45 ns • Wide volt age range: 2.
CY62136EV30 MoBL ® Document #: 38-05569 Rev . *B Page 2 of 12 Notes: 2. NC pins are not conn ected on the die . 3. Pins D3, H1, G2, and H6 in the BGA package are ad dress expansion pins fo r 4 Mbit, 8 Mbit, 16 Mbit and 32 Mbit, respectively . 4. T ypical values are included f or reference only and are not guarant eed or tested.
CY62136EV30 MoBL ® Document #: 38-05569 Rev . *B Page 3 of 12 Maximum Ratings (Above which the useful life may be impaired. For user guide- lines, not tested.) S torage T emperature ............. .............. ..... –65°C to + 150°C Ambient T emperature with Power Applied .
CY62136EV30 MoBL ® Document #: 38-05569 Rev . *B Page 4 of 12 Thermal Resist ance [8] Parameter Description T est Co nd itions VFBGA Package TSOP II Package Unit Θ JA Thermal Resistance (Junction to Ambient) [8] S till Air , soldere d on a 3 × 4.
CY62136EV30 MoBL ® Document #: 38-05569 Rev . *B Page 5 of 12 Switching Characteristics Over the Operating Range [10, 1 1, 12, 13] Parameter Descriptio n 45 ns Unit Min.
CY62136EV30 MoBL ® Document #: 38-05569 Rev . *B Page 6 of 12 Switching W aveforms [14, 15] Read Cycle 1 (Add ress T ransition Controlled) [14, 15] Read Cycle No. 2 (OE Controlled) [15, 16] Notes: 14. The device is contin uously selected . OE , CE = V IL , BHE and/or BLE = V IL .
CY62136EV30 MoBL ® Document #: 38-05569 Rev . *B Page 7 of 12 Write Cycle No. 1 (WE Controlled) [13, 17, 18] Write Cycle No. 2 (CE Controlled) [13, 17, 18] Notes: 17. Data I/O is high impedance if OE = V IH . 18. If CE goes HIGH simulta neou sly with WE = V IH , the output remains in a high-impedan ce state.
CY62136EV30 MoBL ® Document #: 38-05569 Rev . *B Page 8 of 12 Write Cycle No. 3 (WE Controlled, OE LOW) [18] Write Cycle No. 4 (BHE /BLE Controlled, OE LOW) [18] Switching W aveforms (continued) [14,.
CY62136EV30 MoBL ® Document #: 38-05569 Rev . *B Page 9 of 12 T ruth T able CE WE OE BHE BLE Inputs/Outputs Mode Power H X X X X High Z Deselect/Power-down S tandby (I SB ) L X X H H High Z Output Di.
CY62136EV30 MoBL ® Document #: 38-05569 Rev . *B Page 10 of 12 Package Diagrams A 1 A1 CORNER 0.75 0.75 Ø0.30±0.05(48X) Ø0.25 M C A B Ø0.05 M C B A 0.15(4X) 0.21±0.05 1.00 MAX C SEATING PLANE 0.55 MAX. 0.25 C 0.10 C A1 CORNER TOP VIEW BOTTOM VIEW 2 3 4 3.
CY62136EV30 MoBL ® Document #: 38-05569 Rev . *B Page 1 1 of 12 © Cypress Semi con duct or Cor po rati on , 20 06 . The information contained he re i n i s su bj ect to ch an ge wi t hou t n otice. Cypress Semic onductor Corporation assu mes no resp onsib ility for th e u se of any circuitry o ther than circuitry embodied i n a Cypress prod uct.
CY62136EV30 MoBL ® Document #: 38-05569 Rev . *B Page 12 of 12 Document History Page Document Title: CY62136EV30 MoBL ® 2-Mbit (128K x 16) Static RAM Document Number: 38-05569 REV . ECN NO. Issue Date Orig. of Change Description of Change ** 237432 See ECN AJU New Data Sheet *A 419988 See ECN RXU Converted from Adva nced Information to Final.
デバイスCypress CY62136EV30の購入後に（又は購入する前であっても）重要なポイントは、説明書をよく読むことです。その単純な理由はいくつかあります：
Cypress CY62136EV30をまだ購入していないなら、この製品の基本情報を理解する良い機会です。まずは上にある説明書の最初のページをご覧ください。そこにはCypress CY62136EV30の技術情報の概要が記載されているはずです。デバイスがあなたのニーズを満たすかどうかは、ここで確認しましょう。Cypress CY62136EV30の取扱説明書の次のページをよく読むことにより、製品の全機能やその取り扱いに関する情報を知ることができます。Cypress CY62136EV30で得られた情報は、きっとあなたの購入の決断を手助けしてくれることでしょう。
Cypress CY62136EV30を既にお持ちだが、まだ読んでいない場合は、上記の理由によりそれを行うべきです。そうすることにより機能を適切に使用しているか、又はCypress CY62136EV30の不適切な取り扱いによりその寿命を短くする危険を犯していないかどうかを知ることができます。
ですが、ユーザガイドが果たす重要な役割の一つは、Cypress CY62136EV30に関する問題の解決を支援することです。そこにはほとんどの場合、トラブルシューティング、すなわちCypress CY62136EV30デバイスで最もよく起こりうる故障・不良とそれらの対処法についてのアドバイスを見つけることができるはずです。たとえ問題を解決できなかった場合でも、説明書にはカスタマー・サービスセンター又は最寄りのサービスセンターへの問い合わせ先等、次の対処法についての指示があるはずです。
