CypressメーカーCY62137EV30の使用説明書/サービス説明書
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2-Mbit (128K x 16) S t atic RAM CY62137EV30 MoBL ® Cypress Semiconductor Corpora tion • 198 Champion Court • San Jose , CA 95134-1 709 • 408-9 43-2600 Document #: 38-05443 Rev . *B Revised February 14, 2006 Features • V ery high speed: 45 ns • Wide volt age range: 2.
CY62137EV30 MoBL ® Document #: 38-05443 Rev . *B Page 2 of 12 Pin Configurations [2, 3 ] VFBGA (T op View) 44 TSOP II (T op View) Product Port folio Product V CC Range (V) Spee d (ns) Power Dissipation Operating I CC (mA) St andb y I SB2 ( µ A) f = 1MHz f = f max Min.
CY62137EV30 MoBL ® Document #: 38-05443 Rev . *B Page 3 of 12 Maximum Ratings (Above which the useful life may be impaired. For user guide- lines, not tested.) S torage T emperature ............. .............. ..... –65°C to + 150°C Ambient T emperature with Power Applied .
CY62137EV30 MoBL ® Document #: 38-05443 Rev . *B Page 4 of 12 Cap acitance (for all packages) [8] Parameter Description T es t Conditions Max. Unit C IN Input Capacitance T A = 25°C, f = 1 MHz, V CC.
CY62137EV30 MoBL ® Document #: 38-05443 Rev . *B Page 5 of 12 Switching Characteristics Over the Operating Range [1 1] Parameter Description 45 ns Unit Min.
CY62137EV30 MoBL ® Document #: 38-05443 Rev . *B Page 6 of 12 Switching W aveforms Read Cycle 1 (Add ress T ransitio n Controlled) [15, 16] Read Cycle No. 2 (OE Controlled) [16, 17] Notes: 15. The device is contin uously selected . OE , CE = V IL , BH E and/or BLE = V IL .
CY62137EV30 MoBL ® Document #: 38-05443 Rev . *B Page 7 of 12 Write Cycle No. 1 (WE Controlled) [14, 18, 19] Write Cycle No. 2 (CE Controlled) [14, 18, 19] Notes: 18. Data I/O is high impedance if OE = V IH . 19. If CE goes HIGH simulta neou sly with WE = V IH , the output remains in a high-impedance state.
CY62137EV30 MoBL ® Document #: 38-05443 Rev . *B Page 8 of 12 Write Cycle No. 3 (WE Controlled, OE LOW) [19] Write Cycle No. 4 (BHE /BLE Controlled, OE LOW) [19] Switching W aveforms (continued) DATA.
CY62137EV30 MoBL ® Document #: 38-05443 Rev . *B Page 9 of 12 T ruth T able CE WE OE BHE BLE Inputs/Outputs Mode Power H X X X X High Z Deselect/Power-down S tandby (I SB ) X X X H H High Z Deselect/.
CY62137EV30 MoBL ® Document #: 38-05443 Rev . *B Page 10 of 12 Package Diagrams A 1 A1 CORNER 0.75 0.75 Ø0.30±0.05(48X) Ø0.25 M C A B Ø0.05 M C B A 0.15(4X) 0.21±0.05 1.00 MAX C SEATING PLANE 0.55 MAX. 0.25 C 0.10 C A1 CORNER TOP VIEW BOTTOM VIEW 2 3 4 3.
CY62137EV30 MoBL ® Document #: 38-05443 Rev . *B Page 1 1 of 12 © Cypress Semi con duct or Cor po rati on , 20 06 . The information contained he re i n is su bj ect to ch an ge wi t hou t n oti ce. C ypr ess S em ic onduct or Corporation assumes no responsibility for the use of any circuitry o ther than circuitry embodied i n a Cypress prod uct.
CY62137EV30 MoBL ® Document #: 38-05443 Rev . *B Page 12 of 12 Document History Page Document Title: CY62137EV30 MoBL ® 2-Mbit (128K x 16) Static RAM Document Number: 38-05443 REV . ECN NO. Issue Date Orig. of Change Description of Change ** 203720 See ECN AJU New Data Sheet *A 234 196 See ECN AJU Changed I CC MAX at f=1MHz from 1.
デバイスCypress CY62137EV30の購入後に（又は購入する前であっても）重要なポイントは、説明書をよく読むことです。その単純な理由はいくつかあります：
Cypress CY62137EV30をまだ購入していないなら、この製品の基本情報を理解する良い機会です。まずは上にある説明書の最初のページをご覧ください。そこにはCypress CY62137EV30の技術情報の概要が記載されているはずです。デバイスがあなたのニーズを満たすかどうかは、ここで確認しましょう。Cypress CY62137EV30の取扱説明書の次のページをよく読むことにより、製品の全機能やその取り扱いに関する情報を知ることができます。Cypress CY62137EV30で得られた情報は、きっとあなたの購入の決断を手助けしてくれることでしょう。
Cypress CY62137EV30を既にお持ちだが、まだ読んでいない場合は、上記の理由によりそれを行うべきです。そうすることにより機能を適切に使用しているか、又はCypress CY62137EV30の不適切な取り扱いによりその寿命を短くする危険を犯していないかどうかを知ることができます。
ですが、ユーザガイドが果たす重要な役割の一つは、Cypress CY62137EV30に関する問題の解決を支援することです。そこにはほとんどの場合、トラブルシューティング、すなわちCypress CY62137EV30デバイスで最もよく起こりうる故障・不良とそれらの対処法についてのアドバイスを見つけることができるはずです。たとえ問題を解決できなかった場合でも、説明書にはカスタマー・サービスセンター又は最寄りのサービスセンターへの問い合わせ先等、次の対処法についての指示があるはずです。
