CypressメーカーCY62146DV30の使用説明書/サービス説明書
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4-Mbit (256K x 16) S t atic RAM CY62146DV30 Cypress Semiconductor Corpora tion • 3901 North First S treet • San Jose , CA 95134 • 408-9 43-2600 Document #: 38-05339 Rev . *A Revised February 2, 2005 Features • V ery high speed: 45 ns • Wide volt age range: 2.
CY62146DV30 Document #: 38-05339 Rev . *A Page 2 of 1 1 Notes: 2. NC pins are not internally connected on the die. 3. DNU pins have to be left floati ng or tied to V SS to ensure proper application. 4. Pins H1, G2, and H6 in the BGA package are address exp ansion pins for 8 Mb, 16 Mb, and 32 Mb, respectively .
CY62146DV30 Document #: 38-05339 Rev . *A Page 3 of 1 1 Maximum Ratings (Above which the useful life may be impaired. For user guide- lines, not tested.) S torage T emperature ............. .............. ...... –65°C to +150°C Ambient T emperature with Power Applied .
CY62146DV30 Document #: 38-05339 Rev . *A Page 4 of 1 1 Cap acitance (for all packages) [9] Parameter Description T est Conditions Max. Unit C IN Input Capacitance T A = 25°C, f = 1 MHz, V CC = V CC(.
CY62146DV30 Document #: 38-05339 Rev . *A Page 5 of 1 1 Switching Characteristics Over the Operating Range [12] Parameter Description 45 ns [10] 55 ns 70 ns Unit Min.
CY62146DV30 Document #: 38-05339 Rev . *A Page 6 of 1 1 Switching W aveforms Read Cycle 1 (Add ress T ransition Controlled) [16, 17] Read Cycle No. 2 (OE Controlled) [17, 18] Notes: 16. The device is contin uously selected . OE , CE = V IL , BHE and/or BLE = V IL .
CY62146DV30 Document #: 38-05339 Rev . *A Page 7 of 1 1 Write Cycle No. 1 (WE Controlled) [15, 19, 20] Write Cycle No. 2 (CE Controlled) [15, 19, 20] Notes: 19. Data I/O is high impedance if OE = V IH . 20. If CE goes HIGH simulta neously with WE = V IH , the output rema ins in a high-imp edance stat e.
CY62146DV30 Document #: 38-05339 Rev . *A Page 8 of 1 1 Write Cycle No. 3 (WE Controlled, OE LOW) [20] Write Cycle No. 4 (BHE /BLE Controlled, OE LOW) [20] Switching W aveforms (continued) DATA IN t H.
CY62146DV30 Document #: 38-05339 Rev . *A Page 9 of 1 1 T ruth T able CE WE OE BHE BLE Inputs/Outputs Mode Power H X X X X High Z Deselect/Power-D own S tandby (I SB ) L X X H H High Z Output Disabled.
CY62146DV30 Document #: 38-05339 Rev . *A Page 10 of 1 1 © Cypress Semi conductor Corpora tion, 2005. The information con tained herein is subject to change wit hout notice. Cypr ess Semic onductor Corpo ration assumes no responsibility for th e use of any circuitry o ther than circuitry embodied i n a Cypress prod uct.
CY62146DV30 Document #: 38-05339 Rev . *A Page 1 1 of 1 1 Document History Page Document Title:CY62146DV30 MoBL ® 4-Mbit (256K x 16) St atic RAM Document Number: 38-05339 REV .
デバイスCypress CY62146DV30の購入後に（又は購入する前であっても）重要なポイントは、説明書をよく読むことです。その単純な理由はいくつかあります：
Cypress CY62146DV30をまだ購入していないなら、この製品の基本情報を理解する良い機会です。まずは上にある説明書の最初のページをご覧ください。そこにはCypress CY62146DV30の技術情報の概要が記載されているはずです。デバイスがあなたのニーズを満たすかどうかは、ここで確認しましょう。Cypress CY62146DV30の取扱説明書の次のページをよく読むことにより、製品の全機能やその取り扱いに関する情報を知ることができます。Cypress CY62146DV30で得られた情報は、きっとあなたの購入の決断を手助けしてくれることでしょう。
Cypress CY62146DV30を既にお持ちだが、まだ読んでいない場合は、上記の理由によりそれを行うべきです。そうすることにより機能を適切に使用しているか、又はCypress CY62146DV30の不適切な取り扱いによりその寿命を短くする危険を犯していないかどうかを知ることができます。
ですが、ユーザガイドが果たす重要な役割の一つは、Cypress CY62146DV30に関する問題の解決を支援することです。そこにはほとんどの場合、トラブルシューティング、すなわちCypress CY62146DV30デバイスで最もよく起こりうる故障・不良とそれらの対処法についてのアドバイスを見つけることができるはずです。たとえ問題を解決できなかった場合でも、説明書にはカスタマー・サービスセンター又は最寄りのサービスセンターへの問い合わせ先等、次の対処法についての指示があるはずです。
