CypressメーカーCY62146EV30の使用説明書/サービス説明書
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CY62146EV30 MoBL ® 4-Mbit (256K x 16) S t atic RAM Cypress Semiconduc tor Corporation • 198 Champion Court • San Jose , CA 95134-1709 • 408-943-2600 Document #: 38-05567 Rev . * C Revised March 26, 2007 Features • V ery high speed: 45 ns • Wide voltage range: 2.
CY62146EV30 MoBL ® Document #: 38-05567 Rev . *C Page 2 of 12 Logic Block Diagram Pin Configurations [3 , 4] 256K x 16 RAM Array IO 0 –IO 7 ROW DECODER A 8 A 7 A 6 A 5 A 2 COLUMN DECODER A 11 A 12 .
CY62146EV30 MoBL ® Document #: 38-05567 Rev . *C Page 3 of 12 Maximum Ratings Exceeding the maximum ratings may impair the useful life of the device. Thes e user guidelines are not te sted. S torage T emperature .............. .............. .... –65°C to + 150°C Ambient T emperature with Power Applied .
CY62146EV30 MoBL ® Document #: 38-05567 Rev . *C Page 4 of 12 Cap acitance (For All Packages) [9] Parameter Des cription T est Conditions Max Unit C IN Input Capacitance T A = 25°C, f = 1 MHz, V CC .
CY62146EV30 MoBL ® Document #: 38-05567 Rev . *C Page 5 of 12 Switching Characteristics (Over the Operating Range) [1 1, 12] Parameter Description 45 ns Unit Min Max Read Cycle t RC Read Cycle T ime .
CY62146EV30 MoBL ® Document #: 38-05567 Rev . *C Page 6 of 12 Switching W aveforms Read Cycle 1 (Address Tr a nsition Controlled) [16, 17] Read Cycle No.
CY62146EV30 MoBL ® Document #: 38-05567 Rev . *C Page 7 of 12 Write Cycle No. 1 (WE Controlled) [15, 19, 20] Write Cycle No. 2 (CE Controlled) [15, 19, 20] Switching W aveforms (continued) t HD t SD .
CY62146EV30 MoBL ® Document #: 38-05567 Rev . *C Page 8 of 12 Write Cycle No. 3 (WE Controlled, OE LOW) [20] Write Cycle No. 4 (BHE /BLE Controlled , OE LOW) [20] Switching W aveforms (continued) DAT.
CY62146EV30 MoBL ® Document #: 38-05567 Rev . *C Page 9 of 12 T ruth T able CE WE OE BHE BLE Inputs/Outputs Mode Power H X X X X High-Z Deselect/Power down S tandby (I SB ) L X X H H High-Z Outpu t D.
CY62146EV30 MoBL ® Document #: 38-05567 Rev . *C Page 10 of 12 Package Diagrams Figure 1. 48-ball VFBGA (6 x 8 x 1 mm), 51-85150 A 1 A1 CORNER 0.75 0.75 Ø0.30±0.05(48X) Ø0.25 M C A B Ø0.05 M C B A 0.15(4X) 0.21±0.05 1.00 MAX C SEATING PLANE 0.55 MAX.
CY62146EV30 MoBL ® Document #: 38-05567 Rev . *C Page 1 1 of 12 © Cypress Semicon ductor Corporation, 2006-20 07. The information contai ned herein is sub ject to change without notice. Cypress Semiconductor Corporation assumes no responsibility for the use of any circuitry other than ci rcuitry embodied in a C ypress product.
CY62146EV30 MoBL ® Document #: 38-05567 Rev . *C Page 12 of 12 Document History Page Document Title:CY62146EV30 MoBL ® , 4-Mbit (256K x 16) St atic RAM Document Number: 38-05567 REV .
デバイスCypress CY62146EV30の購入後に（又は購入する前であっても）重要なポイントは、説明書をよく読むことです。その単純な理由はいくつかあります：
Cypress CY62146EV30をまだ購入していないなら、この製品の基本情報を理解する良い機会です。まずは上にある説明書の最初のページをご覧ください。そこにはCypress CY62146EV30の技術情報の概要が記載されているはずです。デバイスがあなたのニーズを満たすかどうかは、ここで確認しましょう。Cypress CY62146EV30の取扱説明書の次のページをよく読むことにより、製品の全機能やその取り扱いに関する情報を知ることができます。Cypress CY62146EV30で得られた情報は、きっとあなたの購入の決断を手助けしてくれることでしょう。
Cypress CY62146EV30を既にお持ちだが、まだ読んでいない場合は、上記の理由によりそれを行うべきです。そうすることにより機能を適切に使用しているか、又はCypress CY62146EV30の不適切な取り扱いによりその寿命を短くする危険を犯していないかどうかを知ることができます。
ですが、ユーザガイドが果たす重要な役割の一つは、Cypress CY62146EV30に関する問題の解決を支援することです。そこにはほとんどの場合、トラブルシューティング、すなわちCypress CY62146EV30デバイスで最もよく起こりうる故障・不良とそれらの対処法についてのアドバイスを見つけることができるはずです。たとえ問題を解決できなかった場合でも、説明書にはカスタマー・サービスセンター又は最寄りのサービスセンターへの問い合わせ先等、次の対処法についての指示があるはずです。
