CypressメーカーCY62147DV18の使用説明書/サービス説明書
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4-Mb (256K x 16) S t atic RAM CY62147DV18 MoBL2™ Cypress Semiconductor Corpora tion • 3901 North First S treet • San Jose , CA 95134 • 408-943-2600 Document #: 38-05343 Rev . *B Revised February 26, 2004 Features • V ery hig h speed: 55 ns and 70 n s • Wide volt age range: 1.
CY62147DV18 MoBL2™ Document #: 38-05343 Rev . *B Page 2 of 1 1 Pin Configuration [2 , 3 , 4] FBGA (T o p View) Notes: 2. NC pins are not internally connected on th e die. 3. DNU pins have to be left f loating or tied to Vss to ensure proper application.
CY62147DV18 MoBL2™ Document #: 38-05343 Rev . *B Page 3 of 1 1 Maximum Ratings (Above which the useful life may be impaired. For user guide - lines, not tested.) S torage T emperature ............. .............. ..... –65°C to + 150°C Ambient T emperature with Power Applied .
CY62147DV18 MoBL2™ Document #: 38-05343 Rev . *B Page 4 of 1 1 I SB1 Automatic CE Power-Down Current — CMOS Inputs CE > V CC − 0.2V , V IN >V CC –0.2V , V IN < 0.2V); f = f MAX (Address and Data Only), f = 0 ( OE, WE , BHE and BLE ) V CC(max) =1.
CY62147DV18 MoBL2™ Document #: 38-05343 Rev . *B Page 5 of 1 1 wqewqewq Dat a Retention W aveform [9] Switching Characteristics Over the Operatin g Range [ 10.
CY62147DV18 MoBL2™ Document #: 38-05343 Rev . *B Page 6 of 1 1 Switching W aveforms Notes: 14. The device is cont inuously selected. OE, CE = V IL , BHE and/ or BLE = V IL . 15. WE is HIGH for read cycle. 16. Address valid prior to or coincident with CE and BHE , BLE trans ition LOW .
CY62147DV18 MoBL2™ Document #: 38-05343 Rev . *B Page 7 of 1 1 Notes: 17. Data I/O is high impedance if OE = V IH . 18. If CE goes HIGH simultaneously wi th WE = V IH , the output remains in a high-impe dance state. 19. During this period, the I/Os are in out put st ate and input signals shoul d not be applied.
CY62147DV18 MoBL2™ Document #: 38-05343 Rev . *B Page 8 of 1 1 Switching W aveforms (continued) DATA IN t HD t SD t LZWE t PWE t SA t HA t AW t SCE t WC t HZWE CE ADDRESS WE DATA I/O NOTE 19 Write Cycle N o. 3 (WE Controlled, OE LOW) t BW BHE /BLE [18] DATA I/O ADDRESS t HD t SD t SA t HA t AW t WC CE WE DATA IN Write Cycle No.
CY62147DV18 MoBL2™ Document #: 38-05343 Rev . *B Page 9 of 1 1 T ruth T able CE WE OE BHE BLE Inputs/Outputs Mode Power H X X X X High Z Deselect/Power-Down S tandby (I SB ) X X X H H High Z Deselec.
CY62147DV18 MoBL2™ Document #: 38-05343 Rev . *B Page 10 of 1 1 © Cypress Semico nductor Corpor ation, 2004. Th e information contained herein is subjec t to change without notice. Cypre ss Semico nductor Corporation a ssumes no responsibility fo r the use of any circ uitry other th an circuitry embodied in a Cypress Sem iconductor pro duct.
CY62147DV18 MoBL2™ Document #: 38-05343 Rev . *B Page 1 1 of 1 1 Document History Page Document Title:CY62147DV18 MoBL2™ 4-Mb (256K x 16) St atic RAM Document Number: 38 -05343 REV .
デバイスCypress CY62147DV18の購入後に（又は購入する前であっても）重要なポイントは、説明書をよく読むことです。その単純な理由はいくつかあります：
Cypress CY62147DV18をまだ購入していないなら、この製品の基本情報を理解する良い機会です。まずは上にある説明書の最初のページをご覧ください。そこにはCypress CY62147DV18の技術情報の概要が記載されているはずです。デバイスがあなたのニーズを満たすかどうかは、ここで確認しましょう。Cypress CY62147DV18の取扱説明書の次のページをよく読むことにより、製品の全機能やその取り扱いに関する情報を知ることができます。Cypress CY62147DV18で得られた情報は、きっとあなたの購入の決断を手助けしてくれることでしょう。
Cypress CY62147DV18を既にお持ちだが、まだ読んでいない場合は、上記の理由によりそれを行うべきです。そうすることにより機能を適切に使用しているか、又はCypress CY62147DV18の不適切な取り扱いによりその寿命を短くする危険を犯していないかどうかを知ることができます。
ですが、ユーザガイドが果たす重要な役割の一つは、Cypress CY62147DV18に関する問題の解決を支援することです。そこにはほとんどの場合、トラブルシューティング、すなわちCypress CY62147DV18デバイスで最もよく起こりうる故障・不良とそれらの対処法についてのアドバイスを見つけることができるはずです。たとえ問題を解決できなかった場合でも、説明書にはカスタマー・サービスセンター又は最寄りのサービスセンターへの問い合わせ先等、次の対処法についての指示があるはずです。
