CypressメーカーCY62147DV30の使用説明書/サービス説明書
ページ先へ移動 of 12
4-Mbit (256K x 16) S t atic RAM CY62147DV30 Cypress Semiconductor Corpora tion • 198 Champion Court • San Jose , CA 95134-1 709 • 408-9 43-2600 Document #: 38-05340 Rev .
CY62147DV30 Document #: 38-05340 Rev . *F Page 2 of 12 Notes: 2. NC pins are not internally connected on the die. 3. DNU pins have to be left floati ng or tied to V SS to ensure proper application. 4. Pins H1, G2, and H6 in the VFBGA packag e are address ex p ansion pins for 8 Mb, 16 Mb, and 32 Mb, respectively .
CY62147DV30 Document #: 38-05340 Rev . *F Page 3 of 12 Maximum Ratings (Above which the useful life may be impaired. For user guide- lines, not tested.) S torage T emperature ............. .............. ...... –65°C to +150°C Ambient T emp erature with Power Applied .
CY62147DV30 Document #: 38-05340 Rev . *F Page 4 of 12 Notes: 10. T ested initially and af t er any design or proc ess changes that may affect these p arameters. 1 1. T est condition for the 45-ns part is a load capacit ance of 30 pF . 12. Full device operation requ ires linea r V CC ramp from V DR to V CC(min.
CY62147DV30 Document #: 38-05340 Rev . *F Page 5 of 12 Switching Characteristics Over the Operating Range [14] Parameter Description 45 ns [1 1] 55 ns 70 ns Unit Min.
CY62147DV30 Document #: 38-05340 Rev . *F Page 6 of 12 Switching W aveforms Read Cycle 1 (Ad dress T ransition Controlled) [18, 19] Read Cycle No. 2 (OE Controlled) [19, 20] Notes: 18. The device is contin uously selected . OE , CE = V IL , BHE and/or BLE = V IL .
CY62147DV30 Document #: 38-05340 Rev . *F Page 7 of 12 Write Cycle No. 1 (WE Controlled) [17, 21, 22] Write Cycle No. 2 (CE Controlled) [17, 21, 22] Notes: 21. Data I/O is high impedance if OE = V IH . 22. If CE goes HIGH simulta neously with WE = V IH , the output rema ins in a high-impedance stat e.
CY62147DV30 Document #: 38-05340 Rev . *F Page 8 of 12 Write Cycle No. 3 (WE Controlled, OE LOW) [22] Write Cycle No. 4 (BHE /BLE Controlled, OE LOW) [22] Switching W aveforms (continued) DATA IN t HD.
CY62147DV30 Document #: 38-05340 Rev . *F Page 9 of 12 T ruth T able CE WE OE BHE BLE Inputs/Outputs Mode Power H X X X X High Z Deselect/Power-Down S tandby (I SB ) X X X H H High Z Deselect/Power-Do.
CY62147DV30 Document #: 38-05340 Rev . *F Page 10 of 12 Package Diagram A 1 A1 CORNER 0.75 0.75 Ø0.30±0.05(48X) Ø0.25 M C A B Ø0.05 M C B A 0.15(4X) 0.21±0.05 1.00 MAX C SEATING PLANE 0.55 MAX. 0.25 C 0.10 C A1 CORNER TOP VIEW BOTTOM VIEW 2 3 4 3.
CY62147DV30 Document #: 38-05340 Rev . *F Page 1 1 of 12 © Cypress Semi con duct or C orpo ra ti on , 20 06 . The i nfo r mat ion con t ained herein is subject to ch an ge wi t hou t n oti ce. C ypr ess S em i c onductor Corpo ration assu mes no resp onsib ility for the u se of any circuitr y other than cir cuitry embodied in a Cypress product.
CY62147DV30 Document #: 38-05340 Rev . *F Page 12 of 12 Document History Page Document Title:CY62147DV30 MoBL ® 4-Mbit (256K x 16) St atic RAM Document Numb er: 38-05340 REV .
デバイスCypress CY62147DV30の購入後に（又は購入する前であっても）重要なポイントは、説明書をよく読むことです。その単純な理由はいくつかあります：
Cypress CY62147DV30をまだ購入していないなら、この製品の基本情報を理解する良い機会です。まずは上にある説明書の最初のページをご覧ください。そこにはCypress CY62147DV30の技術情報の概要が記載されているはずです。デバイスがあなたのニーズを満たすかどうかは、ここで確認しましょう。Cypress CY62147DV30の取扱説明書の次のページをよく読むことにより、製品の全機能やその取り扱いに関する情報を知ることができます。Cypress CY62147DV30で得られた情報は、きっとあなたの購入の決断を手助けしてくれることでしょう。
Cypress CY62147DV30を既にお持ちだが、まだ読んでいない場合は、上記の理由によりそれを行うべきです。そうすることにより機能を適切に使用しているか、又はCypress CY62147DV30の不適切な取り扱いによりその寿命を短くする危険を犯していないかどうかを知ることができます。
ですが、ユーザガイドが果たす重要な役割の一つは、Cypress CY62147DV30に関する問題の解決を支援することです。そこにはほとんどの場合、トラブルシューティング、すなわちCypress CY62147DV30デバイスで最もよく起こりうる故障・不良とそれらの対処法についてのアドバイスを見つけることができるはずです。たとえ問題を解決できなかった場合でも、説明書にはカスタマー・サービスセンター又は最寄りのサービスセンターへの問い合わせ先等、次の対処法についての指示があるはずです。
