CypressメーカーCY62147EV30の使用説明書/サービス説明書
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CY62147EV30 MoBL ® 4-Mbit (256K x 16) S t atic RAM Cypress Semiconducto r Corporation • 198 Champion Court • San Jose , CA 95134-1709 • 408-943-2600 Document #: 38-05440 Rev .
CY62147EV30 MoBL ® Document #: 38-05440 Rev . *G Page 2 of 13 Pin Configuration Figure 1. 48-Ball VFBGA (Single Chip Enable) [3, 4] Figure 2. 48-Ball VFBGA (Dua l Ch ip Enable) [3, 4] Figure 3.
CY62147EV30 MoBL ® Document #: 38-05440 Rev . *G Page 3 of 13 Maximum Ratin gs Exceeding the maximum rating s may impair t he useful lif e of the device. User gui d elines are no t te ste d . S torage T emperature ............. .............. ..... –65°C to + 150°C Ambient T emperature with Power Applied .
CY62147EV30 MoBL ® Document #: 38-05440 Rev . *G Page 4 of 13 Thermal Resist ance [9] Parameter Description T est Conditions VFBGA Package TSOP II Package Unit Θ JA Thermal Resistance (Junction to Ambient) S till Air , soldered on a 3 × 4.
CY62147EV30 MoBL ® Document #: 38-05440 Rev . *G Page 5 of 13 Switching Characteristics Over the Operating Range [12, 13] Parameter Description 45 ns (Ind’l/Auto-A) 55 ns (Auto- E) Unit Min Max Min.
CY62147EV30 MoBL ® Document #: 38-05440 Rev . *G Page 6 of 13 Switching W aveforms Figure 6. Read Cycle No. 1 (Address T ransition Controlled) [17, 18] Figure 7.
CY62147EV30 MoBL ® Document #: 38-05440 Rev . *G Page 7 of 13 Figure 8. Write Cycle No. 1 (WE Controlled) [1, 16, 20, 21] Figure 9. Write Cycle No. 2 (CE Controlled) [1, 16, 2 0, 21] Switching W avef.
CY62147EV30 MoBL ® Document #: 38-05440 Rev . *G Page 8 of 13 Figure 10 . Write Cycle No. 3 (WE Controlled, O E LOW) [1, 21] Figure 1 1. Write Cycle No.
CY62147EV30 MoBL ® Document #: 38-05440 Rev . *G Page 9 of 13 T ruth T able CE [ 1 ] WE OE BHE BLE IOs Mode Power H X X X X High Z Deselect/Power Down St andby (I SB ) L X X H H High Z Deselect/Power.
CY62147EV30 MoBL ® Document #: 38-05440 Rev . *G Page 10 of 13 Package Diagrams Figure 12. 48-Ball VFBGA (6 x 8 x 1 mm), 51-85150 A 1 A1 CORNER 0.75 0.75 Ø0.30±0.05(48X) Ø0.25 M C A B Ø0.05 M C B A 0.15(4X) 0.21±0.05 1.00 MAX C SEATING PLANE 0.55 MAX.
CY62147EV30 MoBL ® Document #: 38-05440 Rev . *G Page 1 1 of 13 Figure 13. 44-Pin TSOP II, 51-85087 Package Diagrams (continued) 51-85087-*A [+] Feedback.
CY62147EV30 MoBL ® Document #: 38-05440 Rev . *G Page 12 of 13 Document History Page Document Title: CY62147EV30 MoBL ® 4-Mbit (256K x 16) St atic RAM Document Number: 38-05440 Rev .
Document #: 38-05440 Rev . *G Revised March 31, 2009 Page 13 of 13 MoBL is a regist ered trademark, and More Battery Lif e is a trademark o f Cypress Semiconductor . All product and comp any names mentioned in this document are the trademarks of their respective holders.
デバイスCypress CY62147EV30の購入後に（又は購入する前であっても）重要なポイントは、説明書をよく読むことです。その単純な理由はいくつかあります：
Cypress CY62147EV30をまだ購入していないなら、この製品の基本情報を理解する良い機会です。まずは上にある説明書の最初のページをご覧ください。そこにはCypress CY62147EV30の技術情報の概要が記載されているはずです。デバイスがあなたのニーズを満たすかどうかは、ここで確認しましょう。Cypress CY62147EV30の取扱説明書の次のページをよく読むことにより、製品の全機能やその取り扱いに関する情報を知ることができます。Cypress CY62147EV30で得られた情報は、きっとあなたの購入の決断を手助けしてくれることでしょう。
Cypress CY62147EV30を既にお持ちだが、まだ読んでいない場合は、上記の理由によりそれを行うべきです。そうすることにより機能を適切に使用しているか、又はCypress CY62147EV30の不適切な取り扱いによりその寿命を短くする危険を犯していないかどうかを知ることができます。
ですが、ユーザガイドが果たす重要な役割の一つは、Cypress CY62147EV30に関する問題の解決を支援することです。そこにはほとんどの場合、トラブルシューティング、すなわちCypress CY62147EV30デバイスで最もよく起こりうる故障・不良とそれらの対処法についてのアドバイスを見つけることができるはずです。たとえ問題を解決できなかった場合でも、説明書にはカスタマー・サービスセンター又は最寄りのサービスセンターへの問い合わせ先等、次の対処法についての指示があるはずです。
