CypressメーカーCY62157Eの使用説明書/サービス説明書
ページ先へ移動 of 12
8-Mbit (512K x 16) S t atic RAM CY62157E MoBL ® Cypress Semiconductor Corpora tion • 198 Champion Court • San Jose , CA 95134-1 709 • 408-9 43-2600 Document #: 38-05695 Rev . *C Revised November 21, 2006 Features • V ery high speed: 45 ns • Wide volt age range: 4.
CY62157E MoBL ® Document #: 38-05695 Rev . *C Page 2 of 12 Pin Configuration [2, 3] Product Port folio Product Range V CC Range (V) Speed (ns) Power Dissipation Operating I CC , (mA) Standb y , I SB2 ( µ A) f = 1MHz f = f max Min T yp [4] Max T yp [4] Max T yp [4] Max T yp [4] Max CY62157E-45 Ind’l 4.
CY62157E MoBL ® Document #: 38-05695 Rev . *C Page 3 of 12 Maximum Ratings (Above which the useful life may be impaired. For user guide- lines, not tested.) S torage T emperature ............. .............. ..... –65°C to + 150°C Ambient T e mperature with Power Applied .
CY62157E MoBL ® Document #: 38-05695 Rev . *C Page 4 of 12 Thermal Resist ance [9] Parameter Descriptio n T est Co nd itions TSOP II VFBGA Unit Θ JA Thermal Resistance (Junction to Ambient) S till Air , solder ed on a 3 × 4.5 inch , two-layer printed circuit board 77 72 °C/W Θ JC Thermal Resistance (Junction to Case) 13 8.
CY62157E MoBL ® Document #: 38-05695 Rev . *C Page 5 of 12 Switching Characteristics Over the Operating Range [12] Parameter Description 45 ns 55 ns Unit Min Max Min Max Read Cycle t RC Read Cycle T .
CY62157E MoBL ® Document #: 38-05695 Rev . *C Page 6 of 12 Switching W aveforms Read Cycle 1 (Add ress T ransition Controlled) [16, 17] Read Cycle 2 (OE Controlled ) [1 7, 18] Notes: 16. The device is contin uously selected. OE , C E 1 = V IL , B HE and/or BLE = V IL , and CE 2 = V IH .
CY62157E MoBL ® Document #: 38-05695 Rev . *C Page 7 of 12 Write Cycle 1 (WE Controlled) [15, 19, 20, 21] Write Cycle 2 (CE 1 or CE 2 Controlled) [15, 19, 20, 21] Notes: 19. Data IO is high impedance if OE = V IH . 20. If CE 1 goes HIGH and CE 2 goes LOW simultaneously wit h WE = V IH , the output remains in a hi gh-impedance state.
CY62157E MoBL ® Document #: 38-05695 Rev . *C Page 8 of 12 Write Cycle 3 (WE Controlled, OE LOW) [20, 21] Write Cycle 4 (BHE /BLE Controlled, OE LOW) [20, 21] Switching W aveforms (continued) V ALID .
CY62157E MoBL ® Document #: 38-05695 Rev . *C Page 9 of 12 T ruth T able CE 1 CE 2 WE OE BHE BLE Inputs/Outputs Mode Power H X X X X X High Z Deselect/Power-Down S tandby (I SB ) X L X X X X High Z D.
CY62157E MoBL ® Document #: 38-05695 Rev . *C Page 10 of 12 Package Diagrams 44-pin TSOP II (51-85087) 51-85087-*A [+] Feedback.
CY62157E MoBL ® Document #: 38-05695 Rev . *C Page 1 1 of 12 © Cypress Semi con duct or Cor po rati on , 20 06 . The information contained he rein is subject to change wit hout notice. Cypress Semic onduct or Corpo ration assu mes no resp onsib ility for the u se of any circuitry o ther than circuitry embodied in a Cypress prod uct.
CY62157E MoBL ® Document #: 38-05695 Rev . *C Page 12 of 12 Document History Page Document Title: CY62157E MoB L ® , 8-Mbit (512K x 16) St atic RAM Document Number: 38-05695 REV .
デバイスCypress CY62157Eの購入後に（又は購入する前であっても）重要なポイントは、説明書をよく読むことです。その単純な理由はいくつかあります：
Cypress CY62157Eをまだ購入していないなら、この製品の基本情報を理解する良い機会です。まずは上にある説明書の最初のページをご覧ください。そこにはCypress CY62157Eの技術情報の概要が記載されているはずです。デバイスがあなたのニーズを満たすかどうかは、ここで確認しましょう。Cypress CY62157Eの取扱説明書の次のページをよく読むことにより、製品の全機能やその取り扱いに関する情報を知ることができます。Cypress CY62157Eで得られた情報は、きっとあなたの購入の決断を手助けしてくれることでしょう。
Cypress CY62157Eを既にお持ちだが、まだ読んでいない場合は、上記の理由によりそれを行うべきです。そうすることにより機能を適切に使用しているか、又はCypress CY62157Eの不適切な取り扱いによりその寿命を短くする危険を犯していないかどうかを知ることができます。
ですが、ユーザガイドが果たす重要な役割の一つは、Cypress CY62157Eに関する問題の解決を支援することです。そこにはほとんどの場合、トラブルシューティング、すなわちCypress CY62157Eデバイスで最もよく起こりうる故障・不良とそれらの対処法についてのアドバイスを見つけることができるはずです。たとえ問題を解決できなかった場合でも、説明書にはカスタマー・サービスセンター又は最寄りのサービスセンターへの問い合わせ先等、次の対処法についての指示があるはずです。
