CypressメーカーCY62157ESLの使用説明書/サービス説明書
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CY62157ESL MoBL ® 8-Mbit (512K x 16) S tatic RAM Cypress Semiconductor Corpora tion • 198 Champion Court • San Jose , CA 95134-1709 • 408-943-2600 Document #: 001-43141 Rev . ** Revised January 04, 2008 Features ■ V ery high speed: 45 ns ■ Wide voltage range: 2.
CY62157ESL MoBL ® Document #: 001-43141 Rev . ** Page 2 of 12 Pin Configuration Figure 1. 44-Pin TSOP II (T op View) Product Port folio Product Range V CC Range (V) [1] S peed (ns) Power Dissip ation Operating I CC , (mA) Stan db y , I SB2 ( μ A) f = 1MHz f = f max Ty p [2] Max Ty p [2] Max Ty p [2] Max CY62157ESL Industrial 2.
CY62157ESL MoBL ® Document #: 001-43141 Rev . ** Page 3 of 12 Maximum Ratings Exceeding the maximum ratings may impair the useful life of the device. These user guidelines are not teste d. S torage T emperature ................. .............. ... –65°C to +150°C Ambient T emperatur e with Power Applied .
CY62157ESL MoBL ® Document #: 001-43141 Rev . ** Page 4 of 12 Cap acit ance T ested initially and after any design or proce ss changes that may affect these parameters.
CY62157ESL MoBL ® Document #: 001-43141 Rev . ** Page 5 of 12 Dat a Retentio n Characteristics Over the Operating Range Parameter Description Conditions Min Ty p [2] Max Unit V DR V CC for Dat a Retention 1.5 V I CCDR Data Retention Current CE > V CC – 0.
CY62157ESL MoBL ® Document #: 001-43141 Rev . ** Page 6 of 12 Switching Characteristics Over the Operating Range [9] Parameter Description 45 ns Unit Min Max Read Cycle t RC Read Cycle T ime 45 ns t .
CY62157ESL MoBL ® Document #: 001-43141 Rev . ** Page 7 of 12 Switching W aveforms Figure 2. Read Cycle No.1: Address T ransition Controlled . [14, 15] Figure 3.
CY62157ESL MoBL ® Document #: 001-43141 Rev . ** Page 8 of 12 Figure 4. Write Cycle No 1: WE Controlled [1 3, 17, 18] Figure 5. Write Cycle 2: CE Cont ro lled [13, 17, 18] Switching W aveforms (con t.
CY62157ESL MoBL ® Document #: 001-43141 Rev . ** Page 9 of 12 Figure 6. Write Cycle 3: WE control led, OE LOW [1 8] Figure 7. Write Cycle 4: BHE /BLE Controlled, OE LOW [18] Switching W aveforms (con.
CY62157ESL MoBL ® Document #: 001-43141 Rev . ** Page 10 of 12 T ruth T able CE WE OE BHE BLE Inputs/Outputs Mode Power H X X X X High-Z Deselect/Power down S tandby (I SB ) X X X H H High-Z Deselect.
CY62157ESL MoBL ® Document #: 001-43141 Rev . ** Page 1 1 of 12 Package Diagrams Figure 8. 44-Pin TSOP II, 51-85087 51-85087-* A [+] Feedback [+] Feedback.
Document #: 001-43141 Rev . ** Revised January 04, 2008 Page 12 of 12 MoBL is a reg istered trademar k and More Batt ery Life is a trad emark of Cypre ss Semiconducto r . All product and compan y names men tioned in this documen t are the trad emarks of th eir respectiv e holders.
デバイスCypress CY62157ESLの購入後に（又は購入する前であっても）重要なポイントは、説明書をよく読むことです。その単純な理由はいくつかあります：
Cypress CY62157ESLをまだ購入していないなら、この製品の基本情報を理解する良い機会です。まずは上にある説明書の最初のページをご覧ください。そこにはCypress CY62157ESLの技術情報の概要が記載されているはずです。デバイスがあなたのニーズを満たすかどうかは、ここで確認しましょう。Cypress CY62157ESLの取扱説明書の次のページをよく読むことにより、製品の全機能やその取り扱いに関する情報を知ることができます。Cypress CY62157ESLで得られた情報は、きっとあなたの購入の決断を手助けしてくれることでしょう。
Cypress CY62157ESLを既にお持ちだが、まだ読んでいない場合は、上記の理由によりそれを行うべきです。そうすることにより機能を適切に使用しているか、又はCypress CY62157ESLの不適切な取り扱いによりその寿命を短くする危険を犯していないかどうかを知ることができます。
ですが、ユーザガイドが果たす重要な役割の一つは、Cypress CY62157ESLに関する問題の解決を支援することです。そこにはほとんどの場合、トラブルシューティング、すなわちCypress CY62157ESLデバイスで最もよく起こりうる故障・不良とそれらの対処法についてのアドバイスを見つけることができるはずです。たとえ問題を解決できなかった場合でも、説明書にはカスタマー・サービスセンター又は最寄りのサービスセンターへの問い合わせ先等、次の対処法についての指示があるはずです。
