CypressメーカーCY62157EV18の使用説明書/サービス説明書
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Cypress Semic onductor Corpora tion • 198 Champion Court • San Jose , CA 95134-17 09 • 408-94 3-2600 Document #: 38-0549 0 Rev . *D Revised March 30, 2007 CY62157EV18 MoBL ® 8-Mbit (512K x 16) S t atic RAM Features • V ery hi gh speed: 55 ns • Wide voltage range: 1.
CY62157EV18 MoBL ® Document #: 38-05490 Rev . *D Page 2 of 12 Logic Block Diagram Pin Configuration [3] 512K x 16 RAM Arra y IO 0 –IO 7 ROW DECODER A 8 A 7 A 6 A 5 A 2 COLUMN DECO DER A 11 A 12 A 1.
CY62157EV18 MoBL ® Document #: 38-05490 Rev . *D Page 3 of 12 Maximum Ratings Exceeding maximum ratings may im p air the useful life of the device. These user guidelines are not teste d. S torage T emperature .............. ................. . –65°C to + 150°C Ambient T emperatur e with Power Applied .
CY62157EV18 MoBL ® Document #: 38-05490 Rev . *D Page 4 of 12 Thermal Resist ance [8] Parameter Description T est Conditions BGA Unit Θ JA Thermal Resistance (Junction to Ambient) S til l air , soldered on a 3 × 4.5 inch, two-layer printed circu it board 72 ° C/W Θ JC Thermal Resistance (Junction to Case) 8.
CY62157EV18 MoBL ® Document #: 38-05490 Rev . *D Page 5 of 12 Switching Characteristics (Over th e Operat ing Range ) [1 1, 12 ] Parameter Descriptio n 55 ns Unit Min Max Read Cycle t RC Read Cycle T.
CY62157EV18 MoBL ® Document #: 38-05490 Rev . *D Page 6 of 12 Switching W aveforms Read Cycle 1 (Address T ransition Controlled) [17, 18] Read Cycle 2 (OE Controlled) [18, 19] PREVIOUS DATA VALID DAT.
CY62157EV18 MoBL ® Document #: 38-05490 Rev . *D Page 7 of 12 Write Cycle 1 (WE Controlled) [16, 20, 21] Write Cycle 2 (CE 1 or CE 2 Controlled) [16, 20, 21] Switching W aveforms (conti nued) t HD t .
CY62157EV18 MoBL ® Document #: 38-05490 Rev . *D Page 8 of 12 Write Cycle 3 (WE Controlled, OE LOW) [21] Write Cycle 4 (BHE /BLE Controlled, OE LOW) [21] Switching W aveforms (conti nued) VA L I D D .
CY62157EV18 MoBL ® Document #: 38-05490 Rev . *D Page 9 of 12 T rut h T a ble CE 1 CE 2 WE OE BHE BLE Input s/Output s Mode Power H X X X X X High-Z Deselect/Power Down S tandby (I SB ) X L X X X X H.
Document #: 38-05490 Rev . *D Page 10 of 12 © Cypress Semi conductor Cor poration, 200 6-2007. The info rmation co ntained h erein is subject to change witho ut notice. Cypress S emiconductor Corporatio n assumes no responsibility for the use of any circuitr y other than circuitr y embodied in a C ypress product.
CY62157EV18 MoBL ® Document #: 38-05490 Rev . *D Page 1 1 of 12 Document History Document Title: CY62157EV18 MoBL ® 8-Mbit (512K x 16) St atic RAM Document Number:38-0549 0 REV .
CY62157EV18 MoBL ® Document #: 38-05490 Rev . *D Page 12 of 12 *D 908120 See ECN VKN Add ed footnote #7 related to I SB2 Added footnote #12 related AC timing paramete rs Document Title: CY62157EV18 MoBL ® 8-Mbit (512K x 16) St atic RAM Document Number:38-0549 0 REV .
デバイスCypress CY62157EV18の購入後に（又は購入する前であっても）重要なポイントは、説明書をよく読むことです。その単純な理由はいくつかあります：
Cypress CY62157EV18をまだ購入していないなら、この製品の基本情報を理解する良い機会です。まずは上にある説明書の最初のページをご覧ください。そこにはCypress CY62157EV18の技術情報の概要が記載されているはずです。デバイスがあなたのニーズを満たすかどうかは、ここで確認しましょう。Cypress CY62157EV18の取扱説明書の次のページをよく読むことにより、製品の全機能やその取り扱いに関する情報を知ることができます。Cypress CY62157EV18で得られた情報は、きっとあなたの購入の決断を手助けしてくれることでしょう。
Cypress CY62157EV18を既にお持ちだが、まだ読んでいない場合は、上記の理由によりそれを行うべきです。そうすることにより機能を適切に使用しているか、又はCypress CY62157EV18の不適切な取り扱いによりその寿命を短くする危険を犯していないかどうかを知ることができます。
ですが、ユーザガイドが果たす重要な役割の一つは、Cypress CY62157EV18に関する問題の解決を支援することです。そこにはほとんどの場合、トラブルシューティング、すなわちCypress CY62157EV18デバイスで最もよく起こりうる故障・不良とそれらの対処法についてのアドバイスを見つけることができるはずです。たとえ問題を解決できなかった場合でも、説明書にはカスタマー・サービスセンター又は最寄りのサービスセンターへの問い合わせ先等、次の対処法についての指示があるはずです。
