CypressメーカーCY62157EV30の使用説明書/サービス説明書
ページ先へ移動 of 14
8-Mbit (512K x 16) S t atic RAM CY62157EV30 MoBL ® Cypress Semiconductor Corpora tion • 198 Champion Court • San J ose , CA 95134-1709 • 408-943-2600 Document #: 38-05445 Rev . *E Revised May 07, 2007 Features • TSOP I package configurable as 512K x 16 or as 1M x 8 SRAM • High speed: 45 ns • Wide voltage range: 2.
CY62157EV30 MoBL ® Document #: 38-05445 Rev . *E Page 2 of 14 Product Port folio Product Range V CC Range (V) Speed (ns) Power Dissipation Operating I CC , (mA) Stan db y , I SB2 ( µ A) f = 1MHz f = f max Min T yp [2] Max T yp [2] Max T y p [2] Max T yp [2] Max CY62157EV30LL Ind’l/Auto-A 2.
CY62157EV30 MoBL ® Document #: 38-05445 Rev . *E Page 3 of 14 The following picture sh ows the 48-ball VFBGA pinout. [3, 4, 5] Pin Configuration (continued) WE V CC A 11 A 10 NC A 6 A 0 A 3 CE 1 IO 1.
CY62157EV30 MoBL ® Document #: 38-05445 Rev . *E Page 4 of 14 Maximum Ratings Exceeding maximum ratings may sh orten the battery life of the device. User gui delines are not tested. S torage T emperature ............. .............. ..... – 65°C to + 150°C Ambient T emperature with Power Applied .
CY62157EV30 MoBL ® Document #: 38-05445 Rev . *E Page 5 of 14 Thermal Resist ance [10] Parameter Descriptio n T est Conditions BGA TSOP I TSOP II Unit Θ JA Thermal Resistance (Junction to Ambient) S till Air , soldered on a 3 × 4.5 inch, two-layer printed circuit board 72 74.
CY62157EV30 MoBL ® Document #: 38-05445 Rev . *E Page 6 of 14 Switching Characteristics Over the Operatin g Range [13, 14] Parameter Description 45 ns (Ind’l/Auto -A) Unit Min Max Read Cycle t RC R.
CY62157EV30 MoBL ® Document #: 38-05445 Rev . *E Page 7 of 14 Switching W aveforms Read Cycle No. 1 (Address T ransition Controlle d) [19, 20] Figure 3.
CY62157EV30 MoBL ® Document #: 38-05445 Rev . *E Page 8 of 14 Write Cycle No. 1 (WE Controlled) [18, 22, 23 ] Figure 5. Write Cycle No. 1 Write Cycle No.
CY62157EV30 MoBL ® Document #: 38-05445 Rev . *E Page 9 of 14 Write Cycle No. 3 (WE Controlled, OE LOW) [23] Figure 7. Write Cycle No. 3 Write Cycle No.
CY62157EV30 MoBL ® Document #: 38-05445 Rev . *E Page 10 of 14 T ruth T able CE 1 CE 2 WE OE BHE BLE Inputs/Outputs Mode Power H X X X X X High-Z Deselect/Power Down S tandby (I SB ) X L X X X X High.
CY62157EV30 MoBL ® Document #: 38-05445 Rev . *E Page 1 1 of 14 Package Diagrams Figure 9. 48-Pin VFBGA (6 x 8 x 1 mm), 51-85150 A 1 A1 CORNER 0.75 0.75 Ø0.30±0.05(48X) Ø0.25 M C A B Ø0.05 M C B A 0.15(4X) 0.21±0.05 1.00 MAX C SEATING PLANE 0.55 MAX.
CY62157EV30 MoBL ® Document #: 38-05445 Rev . *E Page 12 of 14 Figure 10. 44-Pin TSOP II, 51-85087 Package Diagrams (continued) 51-85087-*A [+] Feedback.
CY62157EV30 MoBL ® Document #: 38-05445 Rev . *E Page 13 of 14 © Cypress Semico nductor Corporation, 200 4 -2007. The infor mation cont ained herein is subject to chang e without notice . Cypress S emicond uctor Corporation assumes no resp onsibility for the use of any circuitr y other than circuitry embodied in a Cypress product .
CY62157EV30 MoBL ® Document #: 38-05445 Rev . *E Page 14 of 14 Document History Page Document Title: CY62157EV30 MoBL ® , 8-Mbit (512K x 16) St atic RAM Document Number: 38-05445 REV .
デバイスCypress CY62157EV30の購入後に(又は購入する前であっても)重要なポイントは、説明書をよく読むことです。その単純な理由はいくつかあります:
Cypress CY62157EV30をまだ購入していないなら、この製品の基本情報を理解する良い機会です。まずは上にある説明書の最初のページをご覧ください。そこにはCypress CY62157EV30の技術情報の概要が記載されているはずです。デバイスがあなたのニーズを満たすかどうかは、ここで確認しましょう。Cypress CY62157EV30の取扱説明書の次のページをよく読むことにより、製品の全機能やその取り扱いに関する情報を知ることができます。Cypress CY62157EV30で得られた情報は、きっとあなたの購入の決断を手助けしてくれることでしょう。
Cypress CY62157EV30を既にお持ちだが、まだ読んでいない場合は、上記の理由によりそれを行うべきです。そうすることにより機能を適切に使用しているか、又はCypress CY62157EV30の不適切な取り扱いによりその寿命を短くする危険を犯していないかどうかを知ることができます。
ですが、ユーザガイドが果たす重要な役割の一つは、Cypress CY62157EV30に関する問題の解決を支援することです。そこにはほとんどの場合、トラブルシューティング、すなわちCypress CY62157EV30デバイスで最もよく起こりうる故障・不良とそれらの対処法についてのアドバイスを見つけることができるはずです。たとえ問題を解決できなかった場合でも、説明書にはカスタマー・サービスセンター又は最寄りのサービスセンターへの問い合わせ先等、次の対処法についての指示があるはずです。