CypressメーカーCY62167DV18の使用説明書/サービス説明書
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16-Mbit (1M x 16) S t atic RAM CY62167DV18 MoBL ® Cypress Semiconductor Corpora tion • 198 Champion Court • San J ose , CA 95134-1709 • 408-943-2600 Document #: 38-05326 Rev . *C Revised April 25, 2007 Features • V ery high speed: 55 ns • Wide voltage range: 1.
CY62167DV18 MoBL ® Document #: 38-05326 Rev . *C Page 2 of 1 1 Product Port folio Product V CC Range (V) Speed (ns) Power Dissip ation Operating I CC (mA) St a nd by I SB2 (µA) f = 1MHz f = f max Min T yp [2] Max T yp [2] Max T yp [2] Max T yp [2] Max CY62167DV18LL 1.
CY62167DV18 MoBL ® Document #: 38-05326 Rev . *C Page 3 of 1 1 Maximum Ratings Exceeding the maximum rati ngs may impair the useful life of the device. The se user guid elines are no t tested. S torage T emperature ............. .............. ......
CY62167DV18 MoBL ® Document #: 38-05326 Rev . *C Page 4 of 1 1 Thermal Resist ance [7] Parameter Description T est Co nditions VFBGA Unit Θ JA Thermal Resistance (Junction to Ambient) S till Ai r , soldered on a 3 × 4.
CY62167DV18 MoBL ® Document #: 38-05326 Rev . *C Page 5 of 1 1 Switching Characteristics (Over the Operating Range) [10] Parameter Description 55 ns Unit Min Max Read Cycle t RC Read Cycle Time 55 ns.
CY62167DV18 MoBL ® Document #: 38-05326 Rev . *C Page 6 of 1 1 Switching W aveforms Read Cycle 1 (Address T ransition Controlled) [14, 15] Read Cycle 2 (OE Controlled) [15, 16] PREVIOUS DATA VALID DA.
CY62167DV18 MoBL ® Document #: 38-05326 Rev . *C Page 7 of 1 1 Write Cycle 1 (WE Controlled) [13, 17, 18] Write Cycle 2 (CE 1 or CE 2 Controlled) [13, 17, 18 ] Switching W aveforms (continued) t HD t.
CY62167DV18 MoBL ® Document #: 38-05326 Rev . *C Page 8 of 1 1 Write Cycle 3 (WE Controlled, OE LOW) [18] Write Cycle 4 (BHE /BLE Controlled, OE LOW) [18] Switching W aveforms (continued) VA L I D D .
CY62167DV18 MoBL ® Document #: 38-05326 Rev . *C Page 9 of 1 1 T ruth T able CE 1 CE 2 WE OE BHE BLE Inputs/Outputs Mode Power H X X X X X High Z Deselect/Power Down S tandby (I SB ) X L X X X X High.
CY62167DV18 MoBL ® Document #: 38-05326 Rev . *C Page 10 of 1 1 © Cypress Semico nductor Corp oration, 200 2-2007. The inform ation cont ained herein is subject to chang e without notice. C ypress S emicond uctor Corpora tion assumes no resp onsibility for th e use of any circuitr y other than circui try embodied in a Cy press product.
CY62167DV18 MoBL ® Document #: 38-05326 Rev . *C Page 1 1 of 1 1 Document History Page Document Title: CY62167DV18 MoBL ® , 16-Mbit (1M x 16) St atic RAM Document Number: 38-05326 REV .
デバイスCypress CY62167DV18の購入後に（又は購入する前であっても）重要なポイントは、説明書をよく読むことです。その単純な理由はいくつかあります：
Cypress CY62167DV18をまだ購入していないなら、この製品の基本情報を理解する良い機会です。まずは上にある説明書の最初のページをご覧ください。そこにはCypress CY62167DV18の技術情報の概要が記載されているはずです。デバイスがあなたのニーズを満たすかどうかは、ここで確認しましょう。Cypress CY62167DV18の取扱説明書の次のページをよく読むことにより、製品の全機能やその取り扱いに関する情報を知ることができます。Cypress CY62167DV18で得られた情報は、きっとあなたの購入の決断を手助けしてくれることでしょう。
Cypress CY62167DV18を既にお持ちだが、まだ読んでいない場合は、上記の理由によりそれを行うべきです。そうすることにより機能を適切に使用しているか、又はCypress CY62167DV18の不適切な取り扱いによりその寿命を短くする危険を犯していないかどうかを知ることができます。
ですが、ユーザガイドが果たす重要な役割の一つは、Cypress CY62167DV18に関する問題の解決を支援することです。そこにはほとんどの場合、トラブルシューティング、すなわちCypress CY62167DV18デバイスで最もよく起こりうる故障・不良とそれらの対処法についてのアドバイスを見つけることができるはずです。たとえ問題を解決できなかった場合でも、説明書にはカスタマー・サービスセンター又は最寄りのサービスセンターへの問い合わせ先等、次の対処法についての指示があるはずです。
