CypressメーカーCY62167E MoBLの使用説明書/サービス説明書
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16-Mbit (1M x 16 / 2M x 8) S t atic RAM CY62167E MoBL ® Cypress Semiconductor Corpora tion • 198 Champion Court • San J ose , CA 95134-1709 • 408-943-2600 Document #: 001-15607 Rev . *A Revised June 07, 2007 Features • Configurable as 1M x 16 or as 2M x 8 SRAM • V ery high speed: 45 ns • Wide voltage range: 4.
CY62167E MoBL ® Document #: 001-15607 Rev . *A Page 2 of 12 Pin Configuration [2, 3] 48-Pin TSOP I T op View Product Port folio Product V CC Range (V) Spee d (ns) Power Dissip ation Operating I CC (mA) S t andby I SB2 ( µ A) f = 1 MHz f = f max Min T yp [4] Max T yp [4] Max T yp [4] Max T yp [4] Max CY62167ELL 4.
CY62167E MoBL ® Document #: 001-15607 Rev . *A Page 3 of 12 Maximum Ratings Exceeding the maximum ratings may shorten the battery life of the device. User guidelines are not tested. S torage T emperature ............. .............. ..... –65°C to + 150°C Ambient T emperature with Power Applied .
CY62167E MoBL ® Document #: 001-15607 Rev . *A Page 4 of 12 AC T est Loads and W aveforms V CC V CC OUTPUT R2 30 pF INCLUDING JIG AND SCOPE GND 90% 10% 90% 10% RISE TIME= 1 V/ns F ALL TIME= 1 V/ns OUTPUT V EQUIV ALENT TO: THÉVENIN EQUIV ALENT ALL INPUT PULSES R TH R1 Parameters V alue s Unit R1 1800 Ω R2 990 Ω R TH 639 Ω V TH 1.
CY62167E MoBL ® Document #: 001-15607 Rev . *A Page 5 of 12 Switching Characteristics Over the Operatin g Range [13, 14] Parameter Descriptio n 45 ns Unit Min Max READ CYCLE t RC Read Cycle Time 45 n.
CY62167E MoBL ® Document #: 001-15607 Rev . *A Page 6 of 12 Switching W aveforms Figure 1 shows address transition controlled read cycle waveforms. [18, 19] Figure 1. Read Cycle No. 1 Figure 2 shows OE controlled read cycle waveforms. [19, 20] Figure 2.
CY62167E MoBL ® Document #: 001-15607 Rev . *A Page 7 of 12 Figure 3 shows WE controlled write cycle waveforms. [17, 21, 22] Figure 3. Write Cycle No. 1 Switching W aveforms (continued) t HD t SD t PWE t SA t HA t AW t SCE t WC t HZOE V ALID DA T A t BW NOTE 23 CE 1 ADDRESS CE 2 WE DA T A IO OE BHE /BLE Notes 21.
CY62167E MoBL ® Document #: 001-15607 Rev . *A Page 8 of 12 Figure 4 shows CE 1 or CE 2 controlled write cycle waveforms. [17, 21, 22] Figure 4. Write Cycle No. 2 Figure 5 shows WE controlled, OE LOW write cycle waveforms. [22] Figure 5. Write Cycle No.
CY62167E MoBL ® Document #: 001-15607 Rev . *A Page 9 of 12 Figure 6 shows BHE /BLE control led, OE LOW write cycle waveforms. [22] Figure 6. Write Cycle No.
CY62167E MoBL ® Document #: 001-15607 Rev . *A Page 10 of 12 T ruth T able CE 1 CE 2 WE OE BHE BLE Inputs Outputs Mode Power H X X X X X Hi gh-Z Deselect/Power Down S tandby (I SB ) X L X X X X High-.
CY62167E MoBL ® Document #: 001-15607 Rev . *A Page 1 1 of 12 © Cypress Semico nductor Corpor ation, 2007. The information cont ained herein is subject to ch ange without not ice. Cypress Semico nductor Corporatio n assumes no responsib ility for the use of any circuitry o ther than circuitry embodied i n a Cypress prod uct.
CY62167E MoBL ® Document #: 001-15607 Rev . *A Page 12 of 12 Document History Page Document Title: CY62167E MoB L ® 16-Mbit (1M x 16 / 2M x 8) St atic RAM Document Numb er: 001-1560 7 REV .
デバイスCypress CY62167E MoBLの購入後に（又は購入する前であっても）重要なポイントは、説明書をよく読むことです。その単純な理由はいくつかあります：
Cypress CY62167E MoBLをまだ購入していないなら、この製品の基本情報を理解する良い機会です。まずは上にある説明書の最初のページをご覧ください。そこにはCypress CY62167E MoBLの技術情報の概要が記載されているはずです。デバイスがあなたのニーズを満たすかどうかは、ここで確認しましょう。Cypress CY62167E MoBLの取扱説明書の次のページをよく読むことにより、製品の全機能やその取り扱いに関する情報を知ることができます。Cypress CY62167E MoBLで得られた情報は、きっとあなたの購入の決断を手助けしてくれることでしょう。
Cypress CY62167E MoBLを既にお持ちだが、まだ読んでいない場合は、上記の理由によりそれを行うべきです。そうすることにより機能を適切に使用しているか、又はCypress CY62167E MoBLの不適切な取り扱いによりその寿命を短くする危険を犯していないかどうかを知ることができます。
ですが、ユーザガイドが果たす重要な役割の一つは、Cypress CY62167E MoBLに関する問題の解決を支援することです。そこにはほとんどの場合、トラブルシューティング、すなわちCypress CY62167E MoBLデバイスで最もよく起こりうる故障・不良とそれらの対処法についてのアドバイスを見つけることができるはずです。たとえ問題を解決できなかった場合でも、説明書にはカスタマー・サービスセンター又は最寄りのサービスセンターへの問い合わせ先等、次の対処法についての指示があるはずです。
