CypressメーカーCY62167EV18の使用説明書/サービス説明書
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CY62167EV18 MoBL ® 16 Mbit (1M x 16) S t atic RAM Cypress Semiconductor Corpora tion • 198 Champion Court • San Jose , CA 95134-1 709 • 408-943-2600 Document #: 38-05447 Rev . *G Revised March 13, 2009 Features ■ V ery high speed: 55 ns ■ Wide voltage range: 1.
CY62167EV18 MoBL ® Document #: 38-05447 Rev . *G Page 2 of 13 Pin Configuration Figure 1. 48-Ball VFBGA (6 x 7 x 1mm) / (6 x 8 x 1mm) T op View [1, 2, 3] Product Port folio Product V CC Range (V) Spe.
CY62167EV18 MoBL ® Document #: 38-05447 Rev . *G Page 3 of 13 Maximum Ratings Exceeding the maximum ratings may impair the useful life of the device. These user guidelines are not teste d. S torage T emperature ........................ ........ –65°C to + 150°C Ambient T emperatur e with Power Applied .
CY62167EV18 MoBL ® Document #: 38-05447 Rev . *G Page 4 of 13 Thermal Resist an ce T ested initially and after any design or proce ss changes that may affect these parameters. Parameter Description T est Conditio ns VFBGA (6 x 7 x 1mm) VFBGA (6 x 8 x 1mm) Unit Θ JA Thermal Resistance (Junction to Ambient) S till air , soldered on a 3 × 4.
CY62167EV18 MoBL ® Document #: 38-05447 Rev . *G Page 5 of 13 Switching Characteristics Over the Operating Range [13, 14] Parameter Description 55 ns Unit Min Max Read Cycle t RC Read Cycle T ime 55 .
CY62167EV18 MoBL ® Document #: 38-05447 Rev . *G Page 6 of 13 Switching W aveforms Figure 4 shows address transition co ntrolled read cy cle waveforms. [18, 19] Figure 4. Read Cy cle No. 1 Figure 5 shows OE controlled read cycle waveforms. [19, 20] Figure 5.
CY62167EV18 MoBL ® Document #: 38-05447 Rev . *G Page 7 of 13 Figure 6 shows WE controlled write cycle waveforms. [17, 21, 22] Figure 6. Write Cycle No. 1 Switching W aveforms (con tinued) t HD t SD t PWE t SA t HA t AW t SCE t WC t HZOE V ALID DA T A t BW NOTE 23 CE 1 ADDRESS CE 2 WE DA T A I/O OE BHE /BLE Notes 21.
CY62167EV18 MoBL ® Document #: 38-05447 Rev . *G Page 8 of 13 Figure 7 shows CE 1 or CE 2 controlled write cycle waveforms. [17, 21, 22] Figure 7. Write Cycle No. 2 Figure 8 shows WE controlled, OE LOW write cycle waveforms. [22] Figure 8. Write Cycle No.
CY62167EV18 MoBL ® Document #: 38-05447 Rev . *G Page 9 of 13 Figure 9 shows BHE /BLE controlled, OE LOW write cycle waveforms. [22] Figure 9. Write Cycle No.
CY62167EV18 MoBL ® Document #: 38-05447 Rev . *G Page 10 of 13 Ordering Information Spee d (ns) Ordering Code Package Diagram Package T ype Operating Range 55 CY62167EV18LL-55BAXI 001-13297 48-ball V.
CY62167EV18 MoBL ® Document #: 38-05447 Rev . *G Page 1 1 of 13 Figure 1 1. 48-Ball VFBGA (6 x 8 x 1 mm), 51-85150 Package Diagram A 1 A1 CORNER 0.75 0.75 Ø0.30±0.05(48X) Ø0.25 M C A B Ø0.05 M C B A 0.15(4X) 0.21±0.05 1.00 MAX C SEATING PLANE 0.
CY62167EV18 MoBL ® Document #: 38-05447 Rev . *G Page 12 of 13 Document History Page Document Title: CY62167EV18 MoBL ® 16 Mbit (1M x 16) St atic RAM Document Number: 38-05447 REV .
Document #: 38-05447 Rev . *G Revised March 13, 2009 Page 13 of 13 MoBL is a reg istered trademar k and More Batt ery Life is a tr ademark of Cypr ess Semiconduc tor . All product and comp any names men tioned in this document are the tradem arks of their respectiv e holders.
デバイスCypress CY62167EV18の購入後に（又は購入する前であっても）重要なポイントは、説明書をよく読むことです。その単純な理由はいくつかあります：
Cypress CY62167EV18をまだ購入していないなら、この製品の基本情報を理解する良い機会です。まずは上にある説明書の最初のページをご覧ください。そこにはCypress CY62167EV18の技術情報の概要が記載されているはずです。デバイスがあなたのニーズを満たすかどうかは、ここで確認しましょう。Cypress CY62167EV18の取扱説明書の次のページをよく読むことにより、製品の全機能やその取り扱いに関する情報を知ることができます。Cypress CY62167EV18で得られた情報は、きっとあなたの購入の決断を手助けしてくれることでしょう。
Cypress CY62167EV18を既にお持ちだが、まだ読んでいない場合は、上記の理由によりそれを行うべきです。そうすることにより機能を適切に使用しているか、又はCypress CY62167EV18の不適切な取り扱いによりその寿命を短くする危険を犯していないかどうかを知ることができます。
ですが、ユーザガイドが果たす重要な役割の一つは、Cypress CY62167EV18に関する問題の解決を支援することです。そこにはほとんどの場合、トラブルシューティング、すなわちCypress CY62167EV18デバイスで最もよく起こりうる故障・不良とそれらの対処法についてのアドバイスを見つけることができるはずです。たとえ問題を解決できなかった場合でも、説明書にはカスタマー・サービスセンター又は最寄りのサービスセンターへの問い合わせ先等、次の対処法についての指示があるはずです。
