CypressメーカーCY62167EV30の使用説明書/サービス説明書
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CY62167EV30 MoBL ® 16-Mbit (1M x 16 / 2M x 8) S t atic RAM Cypress Semiconductor Corpora tion • 198 Champion Court • San Jose , CA 95134-1 709 • 408-943-2600 Document #: 38-05446 Rev .
CY62167EV30 MoBL ® Document #: 38-05446 Rev . *E Page 2 of 14 Pin Configuration Figure 1. 48-Ball VFBGA (6 x 7 x 1mm) / (6 x 8 x 1mm) T op View [1, 2, 3] Figure 2.
CY62167EV30 MoBL ® Document #: 38-05446 Rev . *E Page 3 of 14 Maximum Ratings Exceeding the maximum ratings may impair the useful life of the device. These user guidelines are not teste d. S torage T e mperature ........................ ........ –65°C to + 150°C Ambient T e mperatur e with Power Applied .
CY62167EV30 MoBL ® Document #: 38-05446 Rev . *E Page 4 of 14 Thermal Resist ance T ested initially and after any design or proce ss changes that may affect these parameters.
CY62167EV30 MoBL ® Document #: 38-05446 Rev . *E Page 5 of 14 Switching Characteristics Over the Operating Range [14, 15] Parameter Description 45 ns (Industrial /Auto-A) Unit Min Max READ CYCLE t RC.
CY62167EV30 MoBL ® Document #: 38-05446 Rev . *E Page 6 of 14 Switching W aveforms Figure 5 shows address transition co ntrolled read cy cle waveforms. [19, 20] Figure 5. Read Cycle No. 1 Figure 6 shows OE controlled read cycle waveforms. [20, 21] Figure 6.
CY62167EV30 MoBL ® Document #: 38-05446 Rev . *E Page 7 of 14 Figure 7 shows WE controlled write cycle waveforms. [18, 22, 23] Figure 7. Write Cycle No. 1 Switching W aveforms (con tinued) t HD t SD t PWE t SA t HA t AW t SCE t WC t HZOE V ALID DA T A t BW NOTE 24 CE 1 ADDRESS CE 2 WE DA T A I/O OE BHE /BLE Notes 22.
CY62167EV30 MoBL ® Document #: 38-05446 Rev . *E Page 8 of 14 Figure 8 shows CE 1 or CE 2 controlled write cycle waveforms. [18, 22, 23] Figure 8. Write Cycle No. 2 Figure 9 shows WE controlled, OE LOW write cycle waveforms. [23] Figure 9. Write Cycle No.
CY62167EV30 MoBL ® Document #: 38-05446 Rev . *E Page 9 of 14 Figure 10 shows BHE /BLE control led, OE LOW write cycle waveforms. [23] Figure 10. Writ e Cycle No.
CY62167EV30 MoBL ® Document #: 38-05446 Rev . *E Page 10 of 14 Ordering Information Spee d (ns) Ordering Code Package Diagram Package T ype Operating Range 45 CY62167EV30LL-45BAXI 001-13297 48-ball V.
CY62167EV30 MoBL ® Document #: 38-05446 Rev . *E Page 1 1 of 14 Figure 12. 48-Ball VFBG A (6 x 8 x 1 mm), 51-85150 Package Diagrams (continued) A 1 A1 CORNER 0.75 0.75 Ø0.30±0.05(48X) Ø0.25 M C A B Ø0.05 M C B A 0.15(4X) 0.21±0.05 1.00 MAX C SEATING PLANE 0.
CY62167EV30 MoBL ® Document #: 38-05446 Rev . *E Page 12 of 14 Figure 13. 48-Pin TSOP I (12 mm x 18 .4 mm x 1.0 mm), 51-85183 Package Diagrams (continued) 1 N 0.020[0.50] 0.007[0.17] 0.037[0.95] 0.002[0.05] 0° -5° MAX. 0.028[0.70] 0.010[0.25] 0.004[0.
CY62167EV30 MoBL ® Document #: 38-05446 Rev . *E Page 13 of 14 Document History Page Document Title: CY62167EV30 MoBL ® 16-Mbit (1M x 16 / 2M x 8) St atic RAM Document Number: 38-05446 REV .
Document #: 38-05446 Rev . *E Re vised March 23, 2009 Page 14 of 14 MoBL is a reg istered trademar k and More Battery Life is a tr ademark of Cypress Semicondu ctor . All product and comp any names men tioned in this d ocument are the tradem arks of their respective holders.
デバイスCypress CY62167EV30の購入後に（又は購入する前であっても）重要なポイントは、説明書をよく読むことです。その単純な理由はいくつかあります：
Cypress CY62167EV30をまだ購入していないなら、この製品の基本情報を理解する良い機会です。まずは上にある説明書の最初のページをご覧ください。そこにはCypress CY62167EV30の技術情報の概要が記載されているはずです。デバイスがあなたのニーズを満たすかどうかは、ここで確認しましょう。Cypress CY62167EV30の取扱説明書の次のページをよく読むことにより、製品の全機能やその取り扱いに関する情報を知ることができます。Cypress CY62167EV30で得られた情報は、きっとあなたの購入の決断を手助けしてくれることでしょう。
Cypress CY62167EV30を既にお持ちだが、まだ読んでいない場合は、上記の理由によりそれを行うべきです。そうすることにより機能を適切に使用しているか、又はCypress CY62167EV30の不適切な取り扱いによりその寿命を短くする危険を犯していないかどうかを知ることができます。
ですが、ユーザガイドが果たす重要な役割の一つは、Cypress CY62167EV30に関する問題の解決を支援することです。そこにはほとんどの場合、トラブルシューティング、すなわちCypress CY62167EV30デバイスで最もよく起こりうる故障・不良とそれらの対処法についてのアドバイスを見つけることができるはずです。たとえ問題を解決できなかった場合でも、説明書にはカスタマー・サービスセンター又は最寄りのサービスセンターへの問い合わせ先等、次の対処法についての指示があるはずです。
