CypressメーカーCY7C1041DV33の使用説明書/サービス説明書
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Cypress Semiconductor Corpora tion • 198 Champion Court • San Jose , CA 95134-1709 • 408-943-2600 Document #: 38-05473 Rev . *E Revised July 17, 2008 CY7C1041DV33 4 Mbit (256K x 16) S t atic RAM.
CY7C1041DV33 Document #: 38-05473 Rev . *E Page 2 of 13 Selection Guide Description –10 (Indus trial) –12 (Automotive) [2] Unit Maximum Access T ime 10 12 ns Maximum Operating Current 90 95 mA Maximum CMOS S tandby Current 10 15 mA Pin Configuration Figure 1.
CY7C1041DV33 Document #: 38-05473 Rev . *E Page 3 of 13 Maximum Ratings Exceeding maximu m ratings may shorte n the useful life of the device. These user guidelines are not teste d. S torage T emperature .................. .............. . –65 ° C to +150 ° C Ambient T emperature with Power Applied .
CY7C1041DV33 Document #: 38-05473 Rev . *E Page 4 of 13 Cap acit ance [6] Parameter Description T est Conditions Max Unit C IN Input Capacitance T A = 2 5 ° C, f = 1 MHz, V CC = 3.
CY7C1041DV33 Document #: 38-05473 Rev . *E Page 5 of 13 AC Switching Ch aracteristics Over the Operating Range [8] Parameter Descr iption –10 (Industrial) –12 (Automotive) Unit Min Max Min Max Rea.
CY7C1041DV33 Document #: 38-05473 Rev . *E Page 6 of 13 Dat a Retention Characteristics Over the Operating Range Parameter Description Conditions [14] Min Max Unit V DR V CC for Data Retention 2.0 V I CCDR Data Retention Current V CC = V DR = 2.0V , CE > V CC – 0.
CY7C1041DV33 Document #: 38-05473 Rev . *E Page 7 of 13 Figure 5. Read Cy cle No. 2 (OE Controlled ) [17, 18] Figure 6. Write Cycle No. 1 (CE Controlled) [19, 20] Switching Waveforms (continued) 50% 5.
CY7C1041DV33 Document #: 38-05473 Rev . *E Page 8 of 13 Figure 7. Write Cycle No. 2 (BLE or BHE Controlled) Figure 8. Write Cycle No. 3 (WE Controlled , OE HIGH During Write) [19, 20] Switching Wavefo.
CY7C1041DV33 Document #: 38-05473 Rev . *E Page 9 of 13 Figure 9. Write Cycle No. 4 (WE Controlled, OE LOW) T ruth T able CE OE WE BLE BHE IO 0 –IO 7 IO 8 –IO 15 Mode Power H X X X X High-Z High-Z.
CY7C1041DV33 Document #: 38-05473 Rev . *E Page 10 of 13 Ordering Information Spe e d (ns) Ordering Code Package Diagram Package T ype Op erating Range 10 CY7C1041DV33-10BVI 51-85150 48-Ball VFBGA Ind.
CY7C1041DV33 Document #: 38-05473 Rev . *E Page 1 1 of 13 Figure 1 1. 44-Pin (400-mil) Molded SOJ (51-8508 2) Figure 12. 44-Pin TSOP II (51-85087) Package Diagrams (continue d) 51-85082-* B 51-85087-*.
CY7C1041DV33 Document #: 38-05473 Rev . *E Page 12 of 13 Document History Page Document Title: CY7C1041DV33 4 Mbit (256K x 16) St atic RAM Document Number: 38-05473 Rev . ECN N o. Orig. of Change Submissi on Date Description of Chan ge ** 20156 0 SWI See ECN A dva nce Data sheet for C9 IPP *A 233729 RKF See ECN 1.
CY7C1041DV33 © Cypress Sem iconductor Corp oration, 200 4-2008. The informatio n containe d herein is su bject to change without notice. C ypress S emiconductor Corp oration assumes no responsibility for th e use of any circuitry othe r than circuitry embod ied in a Cypress prod uct.
デバイスCypress CY7C1041DV33の購入後に（又は購入する前であっても）重要なポイントは、説明書をよく読むことです。その単純な理由はいくつかあります：
Cypress CY7C1041DV33をまだ購入していないなら、この製品の基本情報を理解する良い機会です。まずは上にある説明書の最初のページをご覧ください。そこにはCypress CY7C1041DV33の技術情報の概要が記載されているはずです。デバイスがあなたのニーズを満たすかどうかは、ここで確認しましょう。Cypress CY7C1041DV33の取扱説明書の次のページをよく読むことにより、製品の全機能やその取り扱いに関する情報を知ることができます。Cypress CY7C1041DV33で得られた情報は、きっとあなたの購入の決断を手助けしてくれることでしょう。
Cypress CY7C1041DV33を既にお持ちだが、まだ読んでいない場合は、上記の理由によりそれを行うべきです。そうすることにより機能を適切に使用しているか、又はCypress CY7C1041DV33の不適切な取り扱いによりその寿命を短くする危険を犯していないかどうかを知ることができます。
ですが、ユーザガイドが果たす重要な役割の一つは、Cypress CY7C1041DV33に関する問題の解決を支援することです。そこにはほとんどの場合、トラブルシューティング、すなわちCypress CY7C1041DV33デバイスで最もよく起こりうる故障・不良とそれらの対処法についてのアドバイスを見つけることができるはずです。たとえ問題を解決できなかった場合でも、説明書にはカスタマー・サービスセンター又は最寄りのサービスセンターへの問い合わせ先等、次の対処法についての指示があるはずです。
