CypressメーカーCY7C1307BV25の使用説明書/サービス説明書
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18-Mbit Burst of 4 Pipelined SRAM with Q DR™ Architecture CY7C1307BV25 CY7C1305BV25 Cypress Semiconductor Corpora tion • 198 Champion Cou rt • San Jose , CA 95134-1 709 • 408-943-2 600 Document #: 38-05630 Rev .
CY7C1307BV25 CY7C1305BV25 Document #: 38-05630 Rev . *A Page 2 of 21 Selection Guide CY7C1305BV25-167 CY7C1307BV25-167 Unit Maximum Operating Freq uency 167 MHz Maximum Operating Current 400 mA 256Kx18 Array CLK A [17:0] Gen. K K Control Logic Address Register D [17:0] Read Add.
CY7C1307BV25 CY7C1305BV25 Document #: 38-05630 Rev . *A Page 3 of 21 Pin Configuration 165-ball FBGA (13 x 15 x 1.4 mm ) Pinout CY7C1305BV25 (1M x 18 ) 1 2 3 4 5 678 9 1 0 1 1 A NC GND/ 144M NC/ 36M .
CY7C1307BV25 CY7C1305BV25 Document #: 38-05630 Rev . *A Page 4 of 21 Pin Definitions Name I/O Description D [x:0] Input- Synchronous Data input signals, sampled on the ris ing edge of K and K clocks during valid write operations . CY7C1305BV25 – D [17:0] CY7C1307BV25 – D [35:0] WPS Input- Synchronous Write Port Select, active LOW .
CY7C1307BV25 CY7C1305BV25 Document #: 38-05630 Rev . *A Page 5 of 21 Introduction Functional Overview The CY7C1305BV25/CY7C1307BV25 are synchro nous pipelined Burst SRAMs equipp ed with both a Read port and a Write port. The Read port is dedicated to Read operations and the Write Port is dedicated to Write operations.
CY7C1307BV25 CY7C1305BV25 Document #: 38-05630 Rev . *A Page 6 of 21 When deselected, the wr ite po rt will ign ore all i npu ts after the pending Write operations have been completed . Byte Write Operations Byte Write operations are supported by th e CY7C1305BV25.
CY7C1307BV25 CY7C1305BV25 Document #: 38-05630 Rev . *A Page 7 of 21 T ruth T able [2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9] Operation K RPS WPS DQ DQ DQ DQ Write Cycle : Load address on the rising edge of K; wait one cycle; input write data on two consecutive K and K rising edges.
CY7C1307BV25 CY7C1305BV25 Document #: 38-05630 Rev . *A Page 8 of 21 Write Cycl e Descriptions (CY7C1307BV25) [2, 10 ] BWS 0 BWS 1 BWS 2 BWS 3 KK Comment s L L L L L-H – During the Data portion of a Write sequence, all four bytes (D [35:0] ) are written into the device.
CY7C1307BV25 CY7C1305BV25 Document #: 38-05630 Rev . *A Page 9 of 21 IEEE 1 149.1 Serial Boundary Scan (JT AG) These SRAMs incorporate a serial bo undary scan test access port (T AP) in the FBGA package. This part is fully compliant with IEEE S tandard #1 149 .
CY7C1307BV25 CY7C1305BV25 Document #: 38-05630 Rev . *A Page 10 of 21 is loaded into the instruction register upon power-up or whenever the T AP controller is given a test logic reset state.
CY7C1307BV25 CY7C1305BV25 Document #: 38-05630 Rev . *A Page 1 1 of 21 T AP Controller St ate Diagram [1 1] Note: 1 1. The 0/1 next to each state re presents the value at TMS at th e rising edge of TCK.
CY7C1307BV25 CY7C1305BV25 Document #: 38-05630 Rev . *A Page 12 of 21 T AP Controller Block Diagram T AP Electrical Characteristics Over the Operating R ange [12, 15, 17] Parameter Description T est Conditions Min. Max. Unit V OH1 Output HIGH V oltage I OH = − 2.
CY7C1307BV25 CY7C1305BV25 Document #: 38-05630 Rev . *A Page 13 of 21 Output Times t TDOV TCK Clock LOW to TDO V alid 20 ns t TDOX TCK Clock LOW to TDO Invalid 0 ns T AP Timing and T est Conditions [1.
CY7C1307BV25 CY7C1305BV25 Document #: 38-05630 Rev . *A Page 14 of 21 Scan Register Sizes Register Name Bit Size Instruction 3 Bypass 1 ID 32 Boundary Scan 107 Instruction Codes Instruction Code Description EXTEST 000 Captures the Inpu t/Output ring contents.
CY7C1307BV25 CY7C1305BV25 Document #: 38-05630 Rev . *A Page 15 of 21 Boundary Scan Order Bit # Bum p ID Bit # Bump ID Bit # Bump ID Bit # Bump ID 0 6R 27 11 H 54 7B 81 3G 1 6P 28 10G 55 6B 82 2G 2 6N.
CY7C1307BV25 CY7C1305BV25 Document #: 38-05630 Rev . *A Page 16 of 21 Maximum Ratings (Above which the useful life may be impaired.) S torage T e mperature .............. .................. –65°C to + 150°C Ambient T emperature with Power Applied .
CY7C1307BV25 CY7C1305BV25 Document #: 38-05630 Rev . *A Page 17 of 21 Cap acit ance [22] Parameter Descript ion T es t Conditions Max. Unit C IN Input Capacitance T A = 25°C, f = 1 MHz, V DD = 2.5V . V DDQ = 1.5V 5p F C CLK Clock Input Capacitance 6 pF C O Output Capacitance 7 pF AC T est Loads and W aveforms 1.
CY7C1307BV25 CY7C1305BV25 Document #: 38-05630 Rev . *A Page 18 of 21 Switching Characteristics Over the Operating Range [23] Cypress Parameter Consortium Parameter Description 167 MHz Unit Min. Max. t Power [24] V CC (typical) to the First Access Read or Write 10 µ s Cycle Time t CYC t KHKH K Clock and C Clock Cycle T ime 6.
CY7C1307BV25 CY7C1305BV25 Document #: 38-05630 Rev . *A Page 19 of 21 Switching W aveforms [27, 28, 29] Notes: 27. Q00 refers to output from address A0. Q01 refers to output from the ne xt internal burst address follo wing A0, i.e., A0+1. 28. Outputs are disabled (High- Z) one clock cycle after a NOP .
CY7C1307BV25 CY7C1305BV25 Document #: 38-05630 Rev . *A Page 20 of 21 © Cypress Semi con duct or Cor po rati on , 20 06 . The information con t a in ed he re i n is su bject to change wi t hou t n oti ce.
CY7C1307BV25 CY7C1305BV25 Document #: 38-05630 Rev . *A Page 21 of 21 Document History Page Document Title: CY7C1305BV25/CY7C1307BV25 18 -Mb it Burst of Four Pipelined SRAM with QDR™ Architecture Document Number: 38-05630 REV . ECN NO. Issue Date Orig.
デバイスCypress CY7C1307BV25の購入後に（又は購入する前であっても）重要なポイントは、説明書をよく読むことです。その単純な理由はいくつかあります：
Cypress CY7C1307BV25をまだ購入していないなら、この製品の基本情報を理解する良い機会です。まずは上にある説明書の最初のページをご覧ください。そこにはCypress CY7C1307BV25の技術情報の概要が記載されているはずです。デバイスがあなたのニーズを満たすかどうかは、ここで確認しましょう。Cypress CY7C1307BV25の取扱説明書の次のページをよく読むことにより、製品の全機能やその取り扱いに関する情報を知ることができます。Cypress CY7C1307BV25で得られた情報は、きっとあなたの購入の決断を手助けしてくれることでしょう。
Cypress CY7C1307BV25を既にお持ちだが、まだ読んでいない場合は、上記の理由によりそれを行うべきです。そうすることにより機能を適切に使用しているか、又はCypress CY7C1307BV25の不適切な取り扱いによりその寿命を短くする危険を犯していないかどうかを知ることができます。
ですが、ユーザガイドが果たす重要な役割の一つは、Cypress CY7C1307BV25に関する問題の解決を支援することです。そこにはほとんどの場合、トラブルシューティング、すなわちCypress CY7C1307BV25デバイスで最もよく起こりうる故障・不良とそれらの対処法についてのアドバイスを見つけることができるはずです。たとえ問題を解決できなかった場合でも、説明書にはカスタマー・サービスセンター又は最寄りのサービスセンターへの問い合わせ先等、次の対処法についての指示があるはずです。
