Cypress SemiconductorメーカーCY7C1333Hの使用説明書/サービス説明書
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PRELIMINARY 2-Mbit (64K x 32) Flow-Through SRAM with NoBL™ Architecture CY7C1333H Cypress Semiconductor Corpora tion • 3901 North First S treet • San Jose , CA 95134 • 408-943-26 00 Document #: 001-00209 Rev . ** Revised April 1 1, 2005 Features • Can support up to 133 -MHz bus operations with zero wait st ates.
PRELIMINARY CY7C1333H Document #: 001-00209 Rev . ** Page 2 of 12 Selection Guide CY7C1333H-133 CY7C1333H-100 Unit Maximum Access T i me 6.5 8.0 ns Maximum Operating Current 225 205 mA Maximum CMOS S tandby Current 40 40 mA Shaded area cont ains advance inf ormation.
PRELIMINARY CY7C1333H Document #: 001-00209 Rev . ** Page 3 of 12 Pin Definitions (100-pin TQFP Package) Name I/O Descriptio n A 0 , A 1 , A Input- Synchronous Address Inputs used to s elect one of the 64K address locations . Sampled at the rising edge of the CLK.
PRELIMINARY CY7C1333H Document #: 001-00209 Rev . ** Page 4 of 12 Functional Overview The CY7C1333H is a synchronous flow-through burst SRAM designed specifically to el iminate wait states during Write-Read transitions. All synchronous inputs pass through input registers controlled by the rising edge of the clock.
PRELIMINARY CY7C1333H Document #: 001-00209 Rev . ** Page 5 of 12 Linear Burst Address T able (MODE = GND) First Address A1, A0 Second Address A1, A0 Third Address A1, A0 Fourth Address A1, A0 00 01 1.
PRELIMINARY CY7C1333H Document #: 001-00209 Rev . ** Page 6 of 12 T ruth T able for Read/Write [2, 3] Function WE BW A BW B BW C BW D R e a d H XXXX W r i t e N o B y t e s W r i t t e n L HHHH Wri t .
PRELIMINARY CY7C1333H Document #: 001-00209 Rev . ** Page 7 of 12 Maximum Ratings (Above which the useful life may be impaired. For user guide- lines, not tested.) S torage T emperature ............. .............. ...... –65°C to +150°C Ambient T emp erature with Power Applied .
PRELIMINARY CY7C1333H Document #: 001-00209 Rev . ** Page 8 of 12 Cap acit ance [1 1] Parameter Description T est Condition s 100 TQFP Package Unit C IN Input Capacitance T A = 25° C, f = 1 MHz, V DD = 3.
PRELIMINARY CY7C1333H Document #: 001-00209 Rev . ** Page 9 of 12 Hold Times t AH Address Hold after CLK Rise 0.5 0.5 ns t ALH ADV/LD Hold after CLK Rise 0.5 0.5 ns t WEH WE , BW [A:D] Hold after CLK Rise 0.5 0.5 ns t CENH CEN Hold after CLK Rise 0.5 0.
PRELIMINARY CY7C1333H Document #: 001-00209 Rev . ** Page 10 of 12 NOP , ST ALL and DESELECT Cycles [18, 19 , 21 ] ZZ Mode T iming [22, 23] Switching W aveforms (continued) READ Q(A3) 456789 1 0 A3 A4.
PRELIMINARY CY7C1333H Document #: 001-00209 Rev . ** Page 1 1 of 12 © Cypress Semi con duct or Cor po rati on , 20 04 . The information con t a in ed he re i n is su bject to change wi t hou t n oti ce.
PRELIMINARY CY7C1333H Document #: 001-00209 Rev . ** Page 12 of 12 Document History Page Document Title: CY7C1333H 2-Mbit (64K x 32 ) Fl ow-Through SRAM with NoBL™ A rchitecture Document Numb er: 001-00209 REV .
デバイスCypress Semiconductor CY7C1333Hの購入後に（又は購入する前であっても）重要なポイントは、説明書をよく読むことです。その単純な理由はいくつかあります：
Cypress Semiconductor CY7C1333Hをまだ購入していないなら、この製品の基本情報を理解する良い機会です。まずは上にある説明書の最初のページをご覧ください。そこにはCypress Semiconductor CY7C1333Hの技術情報の概要が記載されているはずです。デバイスがあなたのニーズを満たすかどうかは、ここで確認しましょう。Cypress Semiconductor CY7C1333Hの取扱説明書の次のページをよく読むことにより、製品の全機能やその取り扱いに関する情報を知ることができます。Cypress Semiconductor CY7C1333Hで得られた情報は、きっとあなたの購入の決断を手助けしてくれることでしょう。
Cypress Semiconductor CY7C1333Hを既にお持ちだが、まだ読んでいない場合は、上記の理由によりそれを行うべきです。そうすることにより機能を適切に使用しているか、又はCypress Semiconductor CY7C1333Hの不適切な取り扱いによりその寿命を短くする危険を犯していないかどうかを知ることができます。
ですが、ユーザガイドが果たす重要な役割の一つは、Cypress Semiconductor CY7C1333Hに関する問題の解決を支援することです。そこにはほとんどの場合、トラブルシューティング、すなわちCypress Semiconductor CY7C1333Hデバイスで最もよく起こりうる故障・不良とそれらの対処法についてのアドバイスを見つけることができるはずです。たとえ問題を解決できなかった場合でも、説明書にはカスタマー・サービスセンター又は最寄りのサービスセンターへの問い合わせ先等、次の対処法についての指示があるはずです。
