Cypress SemiconductorメーカーNoBL CY7C1352Gの使用説明書/サービス説明書
ページ先へ移動 of 12
4-Mbit (256K x 18) Pipelined SRAM with NoBL™ Architecture CY7C1352G Cypress Semiconductor Corpora tion • 198 Champion Cou rt • San Jose , CA 95134-1 709 • 408-943-2 600 Document #: 38-05514 Rev .
CY7C1352G Document #: 38-05514 Rev . *D Page 2 of 12 Selection Guide 250 MHz 200 MHz 166 MHz 133 MHz Unit Maximum Access T ime 2.6 2.8 3.5 4.0 ns Maximum Operating Current 325 265 240 225 mA Maximum C.
CY7C1352G Document #: 38-05514 Rev . *D Page 3 of 12 Pin Definitions Name I/O Description A0, A1, A Input- Synchronous Address Inputs used to select one of the 25 6K address locations . Sampled at the rising edge of the CLK. A [1:0] are fed to the two-bit burst counter .
CY7C1352G Document #: 38-05514 Rev . *D Page 4 of 12 Functional Overview The CY7C1352G is a synchronous-pipelin ed Burst SRAM designed specifically to el iminate wait states during Write/Read transitions. All synchronous inputs pass through input registers controlled by the rising edge of the clock.
CY7C1352G Document #: 38-05514 Rev . *D Page 5 of 12 Interleaved Burst Address T able (MODE = Floating or V DD ) First Address A1, A0 Second Address A1, A0 Third Address A1, A0 Fourth Address A1, A0 0.
CY7C1352G Document #: 38-05514 Rev . *D Page 6 of 12 Maximum Ratings (Above which the useful life may be impaired. For user guide- lines, not tested.) S torage T emperature ......... ............ ........... ..... − 65°C to +150°C Ambient T emperature with Power Applied .
CY7C1352G Document #: 38-05514 Rev . *D Page 7 of 12 I SB4 Automatic CE Power-down Current—TTL Inputs V DD = Max, Device Deselected, V IN ≥ V IH or V IN ≤ V IL , f = 0 All speeds 45 mA Cap acit ance [1 1] Parameter Description T es t Conditions 100 TQFP Max.
CY7C1352G Document #: 38-05514 Rev . *D Page 8 of 12 Switching Characteristics Over the Operating Range [16, 17] Parameter Description –250 –200 –166 –133 Unit Min. Max. Min. Max. Min. Max. Min. Max. t POWER V DD (typical) to the first Access [12] 11 11 m s Clock t CYC Clock Cycle T ime 4.
CY7C1352G Document #: 38-05514 Rev . *D Page 9 of 12 Switching W aveforms Read/W rite Timing [18, 19, 20] Notes: 18. For this waveform ZZ is tied low . 19. When C E is LOW: CE 1 is LOW, CE 2 is HIGH and CE 3 is LOW . W h en CE is HIGH: CE 1 is HIGH or CE 2 is LOW or CE 3 is HIGH.
CY7C1352G Document #: 38-05514 Rev . *D Page 10 of 12 NOP , ST ALL, and DESELECT Cycles [18, 19, 21] ZZ Mode Timing [22, 23] Notes: 21. The IG NOR E CLO CK EDG E or ST ALL cycle (Clock 3) illustrated CEN being used to create a p a use. A write is not performed duri ng this cycle.
CY7C1352G Document #: 38-05514 Rev . *D Page 1 1 of 12 © Cypress Semi con duct or Cor po rati on , 20 06 . The information con t a in ed he re i n is su bject to change wi t hou t n oti ce. C ypr ess S em ic onduct or Corporation assumes no resp onsibility f or the u se of any circuitry o ther than circui try embodied i n a Cypress prod uct.
CY7C1352G Document #: 38-05514 Rev . *D Page 12 of 12 Document History Page Document Title: CY7C1352G 4-Mbit (256K x 18) Pipe lined SRAM with NoBL™ Arch itecture Document Number: 38-05514 REV .
デバイスCypress Semiconductor NoBL CY7C1352Gの購入後に（又は購入する前であっても）重要なポイントは、説明書をよく読むことです。その単純な理由はいくつかあります：
Cypress Semiconductor NoBL CY7C1352Gをまだ購入していないなら、この製品の基本情報を理解する良い機会です。まずは上にある説明書の最初のページをご覧ください。そこにはCypress Semiconductor NoBL CY7C1352Gの技術情報の概要が記載されているはずです。デバイスがあなたのニーズを満たすかどうかは、ここで確認しましょう。Cypress Semiconductor NoBL CY7C1352Gの取扱説明書の次のページをよく読むことにより、製品の全機能やその取り扱いに関する情報を知ることができます。Cypress Semiconductor NoBL CY7C1352Gで得られた情報は、きっとあなたの購入の決断を手助けしてくれることでしょう。
Cypress Semiconductor NoBL CY7C1352Gを既にお持ちだが、まだ読んでいない場合は、上記の理由によりそれを行うべきです。そうすることにより機能を適切に使用しているか、又はCypress Semiconductor NoBL CY7C1352Gの不適切な取り扱いによりその寿命を短くする危険を犯していないかどうかを知ることができます。
ですが、ユーザガイドが果たす重要な役割の一つは、Cypress Semiconductor NoBL CY7C1352Gに関する問題の解決を支援することです。そこにはほとんどの場合、トラブルシューティング、すなわちCypress Semiconductor NoBL CY7C1352Gデバイスで最もよく起こりうる故障・不良とそれらの対処法についてのアドバイスを見つけることができるはずです。たとえ問題を解決できなかった場合でも、説明書にはカスタマー・サービスセンター又は最寄りのサービスセンターへの問い合わせ先等、次の対処法についての指示があるはずです。
